摘要：采用离子注入高纯ＬＥＣＧａＡｓ材料，设计研制了共面线和微带线两种结构微微秒（ｐｓ）光导开关．其输出电脉冲响应时ＩＮＦＷＨＭ为８—１０ｐｓ，当光强为１ｍＷ时，电脉冲幅度为０．

摘要：在一块印刷电路板上通过将自电光效应器件（ＳＥＥＤ）与ＧａＡｓ埸效应晶体管（ＦＥＴ）进行互连制作了一种简单的场效应晶体管－自电光效应器件（ＦＥＴ－ＳＥＥＤ）灵巧像素。这种灵巧像素由一个输入自电光效应器件，一个输出自电光效应器件及一个ＧａＡｓ场效应晶体管放大器构成。设计了一个光学系统，在这个系统上对这种灵巧像素进行了演示及测试。

摘要：本文介绍了一种新型高速调制半导体激光器的设计思想、理论依据及实验结果。在掩埋新月型激光器的基础上,对如何增加其调制带宽进行了深入研究。探讨了影响激光器调制带宽的主要因素,综合分析了减小器件分布电容和增加输出功率之间的矛盾和解决的方法,据此设计并研制出高速调制1.3μm InGaAsP/InP多层限制掩埋新月型激光器,器件的3dB调制带宽大于3GHz。

摘要：本文报道研究MOVPE技术生长微米量级不掺杂薄GaAs层的线偏振光吸收系数电流感生变化(△α)和折射串电流感生变化(△n)的实验结果。发现通有电流的薄GaAs层内△α和△n值随光波长(λ)呈脉冲线型非线性变化。电流增加,△α,△n和脉冲线型函数的半极值全宽值都明显增大,而△α-λ谱和△n-λ谱的峰值对应的λ_p值明显移向长波端。不掺杂薄GaAs层内电流感生的这种光学非线性效应,对了解具有多薄层结构的电流注入型半导体光电子器件和集成光学元件的物理机制,设计和改进器件性能具有实用参考价值。