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新型1200V SPT^+芯片技术和17mm的IGBT功率模块平台——最先进逆变器设计的理想组合: 收藏
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引用; 《电气技术》2006年第5期7卷 89-92页; 作者：C.达乌切尔 D.森格 A.瓦西张文瑞塞米控电子有限公司塞米控国际有限公司塞米控电子(珠海)有限公司北京办事处; 在具有重要意义的1200V电压等级的市场上,SEMIKRON推出了17mm厚的扁平化的、采用SEMiX功率模块封装技术的下一代软穿通(SPT)IGBT,即SPT+作为今后开发其它产品的平台。和以前的软穿通芯片模块相比,SPT+模块的开关损耗和导通损耗都要低。...; 在具有重要意义的1200V电压等级的市场上,SEMIKRON推出了17mm厚的扁平化的、采用SEMiX功率模块封装技术的下一代软穿通(SPT)IGBT,即SPT+作为今后开发其它产品的平台。和以前的软穿通芯片模块相比,SPT+模块的开关损耗和导通损耗都要低。芯片的自钳位模式及其极富创新的SEMiX封装使得客户可以容易地设计出成本低、结构紧凑的逆变器。本文介绍了SPT+的电气性能测试结果,并和以前的SPT芯片进行了比较。; 来源：详细信息评论

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