摘要：根据非挥发逻辑的概念 ,分析了非挥发逻辑必须满足的条件。根据逻辑状态在电路中存在的形式与2T/ 2CFeRAM单元结构的相似性 ,得出了基于铁电电容的铁电非挥发逻辑的基本原理。以非挥发CMOSD触发器为例 ,对非挥发D触发器单元及其外围电路进行了设计和仿真 ,给出了基于铁电电容的非挥发逻辑实现的方法。最后 ,提出了非挥发FPGA的概念 ,为非挥发逻辑在数字系统中的应用提供了原型。

摘要：介绍了带宽为 70 0kHz ,14 bitΣΔ模数转换器中的降采样低通滤波器的设计。在整个滤波器的设计中 ,从结构上和硬件实现上入手 ,对电路结构进行优化 ,减小电路实现的复杂性 ,从而降低功耗和面积。在此基础上 ,完成了电路设计 ,用 0 .6 μmCMOS工艺综合实现 ,仿真结果显示 ,性能满足设计指标。

摘要：推导了单层锆钛酸铅悬臂梁伸缩振动时振幅的表达式 ,得出振幅与电势差ΔV成正比 ,与长厚比L/d成正比 ,与宽度w无关。分类分析了锆钛酸铅悬臂梁弯曲振动的各种模式 ,通过有限元分析软件ANSYS仿真得出 :在相同几何尺寸、相同电压的情况下 ,“异P同E”的振幅是“异E同P”的振幅的一半 ,两者的振幅与电势差ΔV成正比 ,与长厚比 (L/d)成平方关系 ,与宽度w无关。对于“同P同E”得出上下两层锆钛酸铅的电场差异越大 ,振幅越大。此分析方法和结论可用于锆钛酸铅悬臂梁结构的优化设计。

摘要：随着集成铁电工艺的迅速发展和铁电电容的广泛应用 ,铁电电容模型的缺乏已成为制约基于铁电电容电路设计和优化的瓶颈。文中提出的非线性双电容铁电电容模型是线性双电容铁电电容模型的改进 ,它不仅与线性双电容模型一样易于用宏模型实现 ,而且比后者具有更高的精度和更简单的控制方式。以 1 T/1 C单元作为基于铁电电容电路设计优化的实例 ,定性分析了位线寄生电容对读出窗口的影响 ,并在 HSPICE中用非线性双电容模型进行了仿真 ,得到位线寄生电容与 1 T/1 C单元铁电电容比例 (CBL/CF E)对读出窗口的最优值 :CBL/CF E=2 .

摘要：设计了一种单片集成的CMOS串行数据收发器 .该收发器用于线上速率为 1 2 5Gb/s的千兆以太网中 ,全集成了发送和接收的功能 ,主要由时钟发生器、时钟数据恢复电路、并串 /串并转换电路、线驱动器和均衡器组成 .为了降低系统设计难度和电路功耗 ,收发器采用了半速率时钟结构 .电路采用 1 8V 0 18μm 1P6MCMOS数字工艺 ,芯片面积为 2 0mm× 1 9mm .经CadenceSpectre仿真验证以及流片测试 ,电路工作正常 。

摘要：设计了一种应用于光发射功率自适控制系统中的低噪声宽带跨阻放大器,用0.6μmCMOS工艺实现,在156MHz 3dB带宽范围内最小均方根等效输入噪声电流为130pA/Hz,在无光状态时电路的总电流为3.3mA,功耗低于国外同类产品.

摘要：介绍了一种基于 0 35 μmCMOS工艺、2 4GHz增益可控的低噪声放大器。从噪声优化、阻抗匹配及增益的角度详细分析了电路的设计方法 ,讨论了寄生效应对低噪声放大器性能的影响。仿真结果表明在考虑了高频寄生参数的情况下 ,低噪声放大器依然具有良好的性能指标 :在 2 4GHz工作频率下 ,3dB带宽为 6 6 0MHz,噪声系数NF为 1 5 8dB ,增益S2 1为 14dB ,匹配参数S11约为 - 13 2dB。

摘要：介绍了一种采用深亚微米 CMOS工艺实现的单片集成发送器的设计 .该发送器适用于高速串行硬盘接口 ,主要由时钟发生器、并串转换电路和片内阻抗匹配的线驱动器三大模块组成 .发送器采用 0 .18μm六层金属单层多晶N阱 CMOS工艺实现 ,芯片面积 1.3mm× 0 .78mm .测试结果表明时钟发生器可工作在 1.5 GHz的频率下 ,数据可以正常发送 .发送器总体功耗为 95 m W,输出共模电平 2 70 m V ,单端输出幅度 2 70 m V.

摘要：在 Razavi模型和 Weigandt模型的基础上 ,提出了一种改进的差分环型振荡器相位噪声模型 .新模型考虑了环振非线性对相位噪声的影响 ,从新的角度讨论了相位噪声的三种发生机制和影响 ,讨论了闪烁噪声的优化方法 ,得到了新的相位噪声模型 ,并依此着重分析了对管尺寸和环振级数对相位噪声的影响 .最后 ,分析了低噪声设计的一些原则 .采用 CSM0 .35 μm工艺进行了流片验证 。

摘要：介绍一种新颖的单片集成红外传感信号处理器。这种处理器能与多种红外传感器匹配 ,对接收到的传感信号进行处理 ,产生控制信号 ,快速启动各类装置 ,实现自动控制。芯片设计中采用多种抗噪声和低功耗设计技术。本处理器用 1 .2μm双层多晶双层金属 N阱 CMOS工艺实现 ,芯片总面积 2 .7mm2 ,电源电压 5 V时的静态电流为 1 .2 m A。