摘要：基于 Ti Si2 低电阻率的优点 ,采用 Ti制作肖特基二极管。在 VL SI工艺中实现同时完成钛硅化物欧姆接触和肖特基势垒二极管 (SBD)的制作。文中用 AES等技术研究不同退火工艺形成的 Ti/ Si界面形态和结构 ,寻找完善的工艺设计和退火条件。此外还测量 Al/ Ti N/ Ti/ Si结构的金属硅化物 SBD的有关特性。通过工艺实验确定 VL

摘要：设计了一种嵌入于FPGA芯片的锁相环,实现了四相位时钟、倍频、半整数可编程分频、可调节相位输出功能,满足对于FPGA芯片时钟管理的要求.锁相环采用了自偏置结构,拓展了锁相环的工作范围,缩短了锁定时间,其阻尼系数以及环路带宽和工作频率的比值都仅由电容的比值决定,有效地减小了工艺、电压、温度等对电路的影响.锁相环采用0.18μm CMOS数字工艺,嵌入复旦大学自主研发的FPGA芯片FDP-Ⅱ,经过流片验证,实现了工作频率范围10~600 MHz,整体电路功耗仅为29 mW,锁定时间小于4μs,峰峰值抖动小于±145 ps.

摘要：介绍了1000 BASE-T物理编码子层(PCS)采用的4D-PAM5编码算法,分析编码算法中的一些关键性技术.提出解码流程,并给出了解码中字同步算法及其硬件结构.用Verilog HDL完成了PCS的硬件设计,进行了仿真验证,并给出了流片测试结果.

摘要：以具有生物染色作用的中性红染料为主结构,设计合成了两个新型中性红衍生物2-(N-邻苯二甲酰亚胺)-3-甲基-8-二甲胺吩嗪(NRD1)和N,N'-二(3-甲基-8二甲胺-2-吩嗪)-1,4,5,8-萘二酰亚胺(NRD2)。实验制作了结构为ITO/NPB(43nm)/Alq3:dopant(20 nm)/Alq3(32 nm)/Lif(1 nm)/Al(120 nm)的发光器件,在掺杂质量百分比浓度分别为1.0%、2.3%和4.1%时,NRD1的发光峰值分别为582nm、588nm和594nm,在电压为12V时,发光亮度达到5552cd.m-2,2858 cd.m-2和1985 cd.m-2。在掺杂质量百分比浓度为1.0%时,NRD2的发光峰值为558nm,在电压为12V时,发光亮度达到938cd.m-2。

摘要：以10/100 Base-T以太网物理层的设计为基础,分别介绍了系统级芯片数字部分的硬件加速仿真,及借助FPGA实现数模混合验证的方法,并得出了两种验证方法的对比。最后,给出了10/100 Base-T以太网物理层芯片的流片结果。测试表明,整个系统的性能达到了设计要求。

摘要：给出了非线性约束问题的一种新解法;首先将其转化为多目标优化问题,提出了高效模拟退火算法求解多目标最优解问题,通过搜索操作和参数的合理设计,以及试验函数的验证,证明了给出的SA算法是一类有效的多目标优化算法.

摘要：设计合成了一种N-苯基咔唑的衍生物:3-2-(3,3-二腈基亚甲基-5,5-二甲基-1-环己烯基)乙烯基-N-苯基-咔唑(PNCa-2CN)。PNCa-2CN的甲醇溶液光致发光光谱和固体膜光致发光光谱峰值分别位于598nm和660nm。以PNCa-2CN作为红色发光材料掺杂在A lq3中,制备了结构为ITO/NPB/A lq3:PNCa-2CN(5%)/A lq3/Mg:Ag/Ag的具有较高发光效率的红色有机电致发光器件,器件的发光峰值为600nm,在外加20V直流电压时达到2372cd.m-2的发光亮度,***-2和***-2其亮度分别为323cd.m-2和64cd.m-2,器件最大流明效率达到1.3 lm.W-1。

摘要：介绍一种新型磁控溅射装置。它采用两块极性相对的环状磁铁的设计方法，通过扩大靶表面的等离子放电区域面积，使传统磁控溅射枪使用中经常受到的两个限制──溅射速率与靶的利用率得到了较大的改善。实验中铜靶在溅射功率密度为11W／cm^2时溅射速率约为800nm／min，如果继续提高功率则可获得更高的速率。而靶的利用率可达64％左右。另外，在认为出射粒子符合cos^nθ分布的前提下，发现当n＝3．3时，实验数据和理论数据符合得较好。

摘要：两层布线薄型倒装封装基板易受材料及结构设计失衡影响而出现翘曲超标问题。分别采用板壳模型对称性计算与有限元分析,对基板布线层残铜率差与阻焊层开窗率差介于5%~15%的非平衡设计进行了优化,确定了最优结构参数用于基板制作。按板壳模型优化的顶阻焊厚度试制了基板,实测翘曲满足通行验收标准(<1. 25 mm)。板壳模型分析与有限元模拟所得基板顶阻焊厚度优化值较为一致,偏差为1μm左右。主效应分析显示,基板翘曲对阻焊层开窗率的平衡性更为敏感。采用板壳模型优化基板翘曲的方法计算简便、准确性良好,对于改善封装基板加工过程中的翘曲问题具有良好的参考价值。

摘要：特征长度位于纳米至微米级尺度的三维(3D)微结构具有丰富而独特的性质与功能,成为了下一代微纳器件的重要组成部分。本文实现了通过应力工程将具有百纳米级厚度的纳米晶金刚石纳米薄膜卷曲构筑成微管、微环、微锯齿条带以及微弹簧等复杂三维微结构,观测到乙醇表面张力诱导金刚石纳米薄膜脱附衬底的现象。并且,本文研究了金刚石自卷曲微管的回音壁模式光谱特性及色心的腔耦合增强特性,通过精细结构设计实现了高阶谐振模式的有效调控。