摘要：SOC芯片的技术特点及其高附加值性,使之成为一种具有国家战略意义的实用技术和代表该国家的高技术发展水平。近几年,美国、日本、欧州各国以及韩国和我国的台湾地区均投入了大量的物力和人力,把SOC芯片设计和制造技术作为一种能提高国际竞争力的战略技术来研究和开发。在本文中,将论述日美等国外的前沿性的半导体制造工艺(0.13um以下)的现状和发展趋势,说明其与SOC芯片技术的相关性和国外在半导体制造上的投资战略。然后,对SOC芯片技术的现状进行论述,并以本人设计的采用90nmCMOS工艺、有24M门和1200引脚的超大规模的SOC芯片的经验对SOC设计技术进行论述。最后,就SOC设计的技术难题和今后的发展趋势等进行论述。

摘要：随着科学技术的飞速发展、微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂,对静电的电磁场效应,如电磁干扰(EMI)及电磁兼容性(EMC)问题越来越重视。简要介绍静电放电(ESD)的产生及在集成电路工艺、器件中的防护措施,并提供了现今流行的保护电路。

摘要：本文采用MOCVD工艺,通过调整衬底温度(固定其它工艺参数)来沉积用于太阳电池的InxGa1-xN薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电子显微镜(SEM)和台阶仪来分析研究其结构特性.衬底温度较低时有利于薄膜的In注入,衬底温度较高时有利于沉积高结晶质量的InxGa1-xN薄膜.当衬底温度为470℃时,在硅衬底上所沉积的InxGa1-xN薄膜In含量较高,为46.92%;薄膜表面光滑致密,粗糙度小;颗粒较大,且颗粒大小均匀.