摘要：主要分析了在CSCW系统中服务质量存在的必要性和可行性,针对现有的网络状况和协作应用尤其是多媒体数据的传输提出了动态自适应质量模型;在支持J2ME的移动Agent平台LEAP的基础上,进一步验证了框架实现方案,并进行了详细的描述和分析。

摘要：螺旋天线具有宽波束、圆极化等特性。以往的轴向螺旋天线多为端射式,辐射方向单一。为弥补这一不足,提出了一种新型的中馈轴向螺旋天线。基于RWG(Rao-Wihon-Glisson)边元的矩量法,采用MATLAB仿真计算出中馈螺旋天线的方向图、反射系数、增益等重要参数。又利用高频结构仿真软件(HFSS)对所设计的中馈螺旋天线进行了仿真。通过两种方法仿真得到的结果吻合较好,仿真结果的正确性得到了验证。实验结果表明:中馈轴向螺旋天线不仅具有以往轴向螺旋天线所具备的定向性好和高增益等优点,还具有两个反向且强度相同的辐射方向,同时天线增益可以达到8dB以上,半功率波束宽度可达33°。这种天线可以应用到多边通信及中继通信等领域。

摘要：设计了一种1.8 V、SMIC 0.18μm工艺的低噪声高速锁相环电路.通过采用环行压控振荡器,节省了芯片面积和成本.通过采用差分对输入形式的延时单元,很好地抑制了电源噪声.与传统的简单差分对反相器延时单元相比,该结构通过采用钳位管和正反馈管,实现了输出节点电位的快速转变.整个电路芯片测试结果表明:在输入参考频率为20 MHz、电荷泵电流为40μA、带宽为100 kHz时,该锁相环可稳定输出频率为797.1 MHz～1.272 GHz的时钟信号,且在中心频率500 kHz频偏处相位噪声可减小至-94.3 dBc/Hz.

摘要：为实现小波包多载波调制,设计了小波包多载波调制的DSP实现方案．采用一种等效结构,将小波包多载波调制转化为串／并变换、小波包综合和脉冲成形3个环节,小波包综合和脉冲成形由小波包快速算法(Mallat算法)实现．以高速浮点DSP为硬件平台,编程采用软件流水优化和DMA技术．利用Mallat算法的特点,采用交替组合法使算法中乘法的运算量减半．所设计的软件在TMS320C6701EVM评估板上成功实现实时运行．CCS环境下的实测结果表明:软件流水方法产生目标代码的运行效率已接近该DSP的最高性能．

摘要：采用联华电子公司(UMC)0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了多晶硅PIN-LED,测试结果表明,i区宽为10μm器件的正向导通电压为1.5V,反向击穿电压为8.8V;当其工作在正向载流子注入模式时发射950～1 250nm波段的红外光,工作在反向雪崩击穿模式时发射650～1 000nm波段的可见光。实验结果表明,本文以多晶硅材料制备的PIN-LED与单晶硅材料制备的Si-LED具有类似的电学特性与光学特性。

摘要：基于标准CMOS工艺的p+源/漏区和n阱,设计了两种楔形瓣状结构的正向注入型硅基发光二极管(Si-LED),采用UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺设计制备。测试结果表明,正向注入型p+/n-well二极管的发射波长位于近红外波段,峰值波长在1 130 nm附近,且工作电压小于2 V,与标准CMOS电路兼容。其中,八瓣结构的Si-LED(TS2)在200 m A时的发光功率可达1 200 n W,且未出现饱和,而注入电流为40 m A时的最大功率转换效率达5.8×10-6,约为四瓣结构器件(TS1)的2倍。所研制的Si-LED具有工作电压低、转换效率高等优点,有望在光互连领域得到应用。

摘要：码书设计是矢量量化中的关键技术.为此,针对经典LBG算法对初始码书敏感的缺陷提出一种基于模糊聚类的码书生成算法.为了提高收敛速度,首先设定距离门限的初始值,然后依次循环逐级递减调整以减少迭代次数.逐级调整门限的也可以降低新聚类生成的速度,从而得到更好的更具有典型性的码书;此外,通过对胞腔中矢量按从大到小的顺序择优选取,设计出的码书性能更好,更加接近全局最优.将该算法应用于移动语音频编码标准中线谱频率矢量量化的码书训练,与LBG算法的对比实验结果表明,该算法在主客观质量评价方面都有效地提高了语音频编码算法的性能.

摘要：本文提出了一种新颖的FFT/IFFT处理器结构 ,并用可编程逻辑器件 (CPLD)实现了该结构 .这种新型结构有效地结合了传统流水线结构和循环结构的优点 ,并恰当地满足了 80 2 .11a[1] 协议要求的速率 ,达到了实现面积远小于其它结构的目的 .在本文中 ,用CPLD分别实现了这种新型结构和传统流水线结构 。

摘要：探索了采用标准CMOS工艺实现单片光互连的可行性。采用特许(Chartered)半导体公司3.3V、0.35μm标准模拟CMOS工艺设计并制造了一种单片光互连系统,并用两种结构研究了衬底噪声耦合对互连性能的影响。测试结果表明:该光互连系统可工作于几×103Hz,验证了基于标准CMOS工艺的单片光互连系统是可行的。

摘要：基于标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺流程,设计了p+/N-well和n+/p-sub两类结构的太阳能电池单元,通过分析影响电池性能参数的主要因素,设计、制备出4种不同单元尺寸的电池结构。测试结果表明,在标准测试条件下,面积50μm×50μm的单元结构具有最优的性能参数,其开路电压和短路电流分别为0.49V和76.61μA/mm2,最大输出功率达29.44μW/mm2,光电转换效率为2.94%。基于优化的器件结构,将两类不同结构的电池单元串联实现了高压输出的太阳能电池,电池的输出电压为0.95V,短路电流和最大输出功率分别为13μA/mm2和10.5μW/mm2。