摘要：针对负载转矩扰动造成的双永磁电机系统转速同步性能下降的问题,提出采用观测器测量负载转矩并进行前馈补偿的策略,以减小负载转矩扰动对系统同步性能的影响。首先基于电机数学模型设计了负载观测器,根据传感器测量得到的机械角速度与q轴电流信息准确地估计电机的负载转矩,并结合交叉耦合结构实现了两台电机的转速同步。仿真与实验结果证明:采用所提策略可以准确观测负载转矩,显著减小双永磁电机间的同步误差,大幅缩短双电机调速过渡过程,有效提升系统同步性能。

摘要：为确定永磁体与磁传感器之间的最优安装间距,通过对磁偶极子的理论分析以及ANSYS有限元仿真确定了永磁体与磁编码器芯片之间最优的安装间距,并对磁编码器硬件电路与增量式PID闭环控制算法设计。结果表明:当永磁体与磁编码器芯片间距为1 mm时,磁感应强度范围为-80~80 mT,以0.2 mm的单位距离依次增加,磁感应强度逐渐减小,符合永磁体360°范围内正余弦曲线规律:在1.18~1.52 mm安装间距内,迷宫机器人电机在不同转速下闭环控制效果良好,可以实现走迷宫过程中的精准位置与速度反馈。

摘要：针对直流组网中并联Boost DC/DC变换器带恒功率负荷的“源-荷”级联系统稳定性问题,利用特征值法和阻抗比法重点分析了并联Boost DC/DC变换器系统的稳定性和带恒功率负荷的能力,并通过时域仿真法验证理论分析的正确性,系统性比较了V-I和I-V下垂控制在并联Boost DC/DC变换器系统应用中的优缺点。多台并联Boost DC/DC变换器带阻感负荷时,控制器参数的稳定域基本不随并联台数的增加而改变,V-I下垂系统随虚拟阻抗减小(I-V下垂系统随虚拟阻抗增加)系统稳定性变差;带恒功率负荷时,系统带载能力大小变化与稳定性方向一致。相同虚拟阻抗下,多台并联V-I下垂系统带载能力大于I-V下垂系统。为V-I和I-V两类下垂控制在并联Boost DC/DC变换器实际工程中的应用提供了一般设计规律。

摘要：从产品设计角度出发,较为详细的介绍了NXP的SSL1750T芯片特点及工作原理,以及基于该控制芯片的大功率LED驱动电源的设计方法,其中重点阐述了PFC电感和反激变压器的设计。最后给出了一款基于SSL1750T设计的LED路灯驱动电源的工程实例,用实测数据和波形来证明该设计方法的实用性。

摘要：为解决12 kV真空断路器(Vacuum Circuit Breaker,VCB)传统操动机构和旋转电机操动机构结构复杂、可靠性低、动作分散性大以及有槽直线电机操动机构定位力引起推力脉动、振动、噪声及速度控制退化等而导致其难以精确分、合闸的问题,提出无槽圆筒形永磁直线同步电机操动机构。根据12 kV真空断路器分、合闸特性要求,对无槽圆筒形永磁直线同步电机(Slotless Tubular Permanent Magnet Linear Synchronous Motor,STPMLSM)的结构和参数进行设计,推导出其数学模型。利用有限元法对该电机操动机构的静、动态特性进行仿真分析,得到启动过程中电磁推力与时间的关系,分合闸过程中断路器动触头行程与时间、速度与时间的关系。结果表明:所设计的电机操动机构结构参数能够满足断路器分合闸特性要求,且推力波动得到有效抑制,为各电压等级断路器采用此类电机操动机构提供可靠依据。

摘要：针对预制体中纱线路径复杂,几何建模耗时较长的问题,提出了一种预制体边界反射(PBR)方法,有效地缩短了几何建模过程中建立纱线运动模型的计算时间。在此基础上,开发了基于SolidWorks软件的CAD仿真建模系统,可模拟不同编织参数下的三维编织预制体整体结构。与传统建模方法相比,PBR方法可在不影响预制体几何建模精度的前提下,明显缩短仿真时间。因此,可明显提高编织工艺设计的效率。该方法为复杂几何结构预制体的细观结构和机械性能研究奠定了基础。

摘要：针对一种新型的器身磁屏蔽——肺叶磁屏蔽自身以及其在变压器中的设计问题,以一台容量为334MV?A、带有肺叶磁屏蔽的单相自耦变压器为研究对象,首先应用三维频域非线性有限元法分析了肺叶磁屏蔽对变压器结构件、绕组区域漏磁场以及杂散损耗的影响;然后,以漏磁场分析以及杂散损耗计算为手段,以变压器油箱、夹件、拉板、油箱屏蔽以及肺叶磁屏蔽的磁感应强度(或损耗密度)作为观测目标,研究肺叶磁屏蔽安装位置以及尺寸对变压器漏磁场的影响,并通过负载损耗试验将有限元计算所得结果与实验值进行对比,验证分析的有效性;最后,针对肺叶磁屏蔽自身可能出现的局部过热问题,设计三种不同的肺叶磁屏蔽油路结构,基于有限体积法对比分析不同油路结构下肺叶磁屏蔽的油流、温升特性。对肺叶磁屏蔽特性的系统分析可为其设计以及其在变压器中的设计提供指导,具有重要工程意义。

摘要：为了提高经颅磁刺激系统中激励源的节能率,该文在脉冲宽度可控经颅磁刺激仪(cTMS1)的基础上,提出一种节能型激励源(EEES),并设计EEES电路拓扑结构和开关控制方法。首先,通过控制开关的导通时间,实现脉冲电流宽度的调节。然后,设计电路拓扑结构,实现能量的回收再利用,提高系统的能量利用率。最后,开发EEES实验平台并对系统性能进行测试。实验结果表明,EEES可以产生幅值高达1058A的脉冲电流,可调脉冲宽度范围为5~160μs。与cTMS1激励源相比,EEES能量自损率明显低于cTMS1,节能率高达62.60%~93.21%。因此,该文提出的EEES系统为TMS激励源的发展提供了重要参考。

摘要：共振隧穿器件由于其具有高频高速的特点,适用于制作太赫兹波段的振荡源器件。本文主要针对太赫兹波段的共振隧穿二极管(RTD)的振荡特性进行模拟仿真。利用等效电路理论和Pspice软件对共振隧穿振荡器(RTO)的等效电路模型进行振荡频率和功率的模拟计算。在理论计算中将隧穿和渡越时间效应以及寄生元件等制约因素都进行了分析,结果表明通过改进RTD和缝隙天线的结构,共振隧穿振荡器的振荡频率可达1.2THz,输出功率可达到115?W。并且在Pspice仿真环境下进行验证,结果也与理论计算较为相符。

摘要：以污水处理设备为被控对象,利用AW60(飞思卡尔)MCU为主控制器,设计实现污水处理控制系统.在系统控制方面,该系统不仅实现了现场(键盘)控制,还实现了基于ZigBee技术的远程控制.系统分为硬件、软件两部分,硬件部分主要包括控制输出模块、远程接口模块、现场控制模块、数据采集模块等;基于CodeWar-rior平台,软件部分采用的是模块化设计.该系统实现了现场操作和运程操作双重功能,同时具有工作稳定、功耗低、操作方便等优点.