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体管工作状态对SiGe带通滤波器的影响
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《半导体技术》2010年 第8期35卷 772-774页
作者: 熊瑛 杨保和 张维佳 天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室天津300384 天津晶研科技有限公司天津300384 
采用SiGe异质结双极体管,设计了一种具有回转结构的带通跨导-电容滤波器。使用ADS软件进行电路图的仿真分析。究镜像电流源的集电极电阻R对该滤波器中心频率、输出增益及功耗的影响。分析结果表明,镜像电流源集电极电阻R的调节可以...
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基于SiGe HBT工艺的GNSS接收机混频器设计
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《电子设计工程》2010年 第3期18卷 104-106页
作者:曾华堂 赵红东 王博河北工业大学信息工程学院天津300401 天津晶研科技有限公司天津300000 
针对目前国内RFIC发展比较滞后的现状,设计了3款应用于GNSS接收机的基于0.5μm SiGe HBT工艺的混频器(Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ),并采用针对混频器的优良指数FOM(figure-of-merit)对这3个混频器进行结构和综合性能比较。3款混频器的供电电压为3.3 V,...
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GNSS接收机带有滤波功能可变增益放大器的设计
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《电子设计工程》2010年 第3期18卷 101-103页
作者:张维佳 赵红东 王博 河北工业大学信息工程学院天津300401 天津晶研科技有限公司天津300000 
传统GNSS前端接收机系统中,可变增益放大器(VGA)不具备滤波功能,大多数选用片外滤波,这样系统增益和集成度降低,而系统集成的波器选频性能有限。为此,设计一种具有滤波功能的可变增益放大器,采用0.5μmSiGe HBT工艺,可控增益单元与Gm-C...
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