摘要：利用电子传输性能良好的苯并噻唑螯合锌(Zn(BTZ)2)作为蓝光层,通过设计不同类型的空穴传输层并试验不同厚度的发光层后,制作了一种最佳厚度的双发光层白色电致发光器件:氧化铟锡(ITO)/N-N′-双(3-甲基苯基)-N-N′-二苯基-1-1′-二苯基-4-4′-二胺(TPD)∶N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)(1∶0.05)(30nm)/NPB(10nm)/2-(2-羟基苯基)Zn(BTZ)2(30nm)/双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-联苯氧基)铝(BAlq)∶5,6,11,12-四苯基-四苯并(rubrene)(30nm)/8-羟基喹啉铝(Alq)(15nm)/Mg∶Ag.经有效的控制电子和空穴的注入,实现了载流子在发光层间的均匀分布,驱动电压从8V变为13V时,获得了色坐标在(0.32,0.40)和(0.30,0.38)之间变化的白光.器件的最大外量子效率为0.85%,当工作电压为15V时,器件最高亮度为11240cd/m2.器件性能得以提高的原因是选择了合适的空穴传输层和最佳的发光层厚度,从而达到了空穴和电子的注入平衡.

摘要：采用水溶性前驱物在乙醇介质中制备了不同[S2-]/[Pb2+]摩尔比例的PbS纳米晶,利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、紫外-可见吸收光谱(Abs)、光致发光谱(PL)对所制备PbS纳米晶的晶体结构、纳米晶粒径、形貌以及能带结构和发光特性进行了表征,结果表明:随着前驱物[S2-]/[Pb2+]摩尔比例的提高,PbS纳米晶颗粒尺寸从3.9 nm增大到5.9 nm,发光峰值位置从1 009 nm移动到1 486 nm。通过拟合[S2-]/[Pb2+]=0.5条件下PbS纳米晶平均粒径对时间变化曲线,发现该方法下PbS纳米晶所经历的生长机制为Ostwald成熟化。运用经典纳米晶扩散控制生长模型,解释了实验中随着[S2-]/[Pb2+]的提高对溶液中纳米晶生长速率的影响。