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检索条件"机构=天津电子部46所"
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英国要推进GaAs技术
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《半导体情报》1996年 第3期33卷 38-41页
作者:李光平 李静 汝琼娜天津电子部第46研究所 
英国要推进GaAs技术伦敦Middlesex大学的微电子中心主任EbrahimBushehri说他认为英国还没全力发展GaAs技术。"欧洲在高速GaAs数字电路及其设计理论上比英国更重视,投资更多。他的中心正与Sol...
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半绝缘砷化镓中EL2浓度的自动测量系统
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《现代仪器使用与维修》1999年 第2期 38-40页
作者:李光平 李静 汝琼娜 何秀坤电子部第46研究所天津300192 
本文介绍了使用通用计算机外部控制 PE Lambda-9分光光度计,设计完成了数据处理工作站,利用此工作站形成了一套半绝缘砷化镓中EL2浓度微区分布的自动测量系统。
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用内凝胶法制备球形Y_2O_3-ZrO_2等离子喷涂粉料
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《无机材料学报》2000年 第3期15卷 487-492页
作者:李建军 姜长印 万春荣 吴宇平 郝建民清华大学核能技术设计研究院新型能源与材料化学研究室北京100084 天津电子部46所天津300192 
以无机物为前驱物,用内凝胶法制备了适合于等离子喷涂的、粒径在10~50μm范围内的、用氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)球形粉末,实验结果表明,通过改变乳化条件可以控制这种粉末的形貌、粒径和粒度分布.利用SEM和光学显微镜观察发现,...
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