摘要：基于 DRM 标准,研究并设计了一种 DRM 广播接收机射频前端芯片的结构,该射频前端选用了上边注入、固定中频的二次正交混频低中频结构。经理论推导,给出了该结构的4种镜像抑制比(IRR)与相位误差或幅度误差的定量关系。经综合考虑镜像干扰、互调干扰、低频本振谐波干扰、寄生低频噪声等因素与中频频率的定量或定性关系,确定了系统频率规划。该结构中除射频滤波器外其它模块均为片上实现,继承了低中频结构的所有优点。理论分析与仿真结果表明,采用该频率规划的接收机射频前端完全满足 DRM接收机射频前端的设计要求。此频率规划设计为射频前端芯片的电路级设计成功奠定了理论基础。

摘要：采用TSMC公司标准的0.18μm CMOS工艺,设计并实现了一个全集成的2.5Gb/s时钟数据恢复电路.时钟恢复由一个锁相环实现.通过使用一个动态的鉴频鉴相器,优化了相位噪声性能.恢复出2.5GHz时钟信号的均方抖动为2.4ps,单边带相位噪声在10kHz频偏处为-111dBc/Hz.恢复出2.5Gb/s数据的均方抖动为3.3ps.芯片的功耗仅为120mW.

摘要：基于40 nm CMOS工艺,设计了一种前馈架构的3阶1位量化离散时间Σ-Δ调制器。该调制器的信号带宽为100 kHz,过采样比为128。为了适应低电压环境,输入端开关采用栅压自举结构以提升采样信号的线性度,运算放大器采用两级结构以增加输出摆幅。为了降低系统功耗,比较器采用动态结构实现。仿真结果表明,在1.2 V电源电压下,该调制器的最高信噪比为88.1 dB,功耗为1.5 mW。

摘要：用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一种应用于5 GHz锁相环型频率合成器中的电荷泵电路.该电路运用单位增益运放电路和自偏置共源共栅电流源电路实现了充放电流的高度匹配.充分利用单位增益运放电路减小电荷泵输出端的电荷共享现象,使电荷泵电路结构较简单并减小了功耗.Spectre后仿真表明,在电源1.8 V、输出电压0.5-1.3 V,充放电流失配率小于0.8%,电流绝对值偏移率小于0.6%,最大功耗8.53 mW.

摘要：设计并实现了一种基于TSMC 0·25μm CMOS工艺的低噪声、1·25Gb/s和124dBΩ的光接收机前端放大器.跨阻放大器设计采用了有源电感并联峰化和噪声优化技术,克服了CMOS光检测器大寄生电容造成的带宽不够的问题.测试结果表明,在2pF的寄生电容下,前端放大器工作速率达到了1·25Gb/s ,在光功率为-17dBm的光信号输入下得到了清晰的眼图.芯片采用3·3V电压供电,功耗为122mW,差分输出电压幅度为660mV.

摘要：分别利用0 35μm CMOS工艺和0 2μm GaAs PHEMT(pseudomorphic high electron mobility transistor)工艺实现了激光驱动器集成电路,其工作速率分别为2 5Gb/s和 10Gb/s,可应用于光纤通信 SDH(synchronous dig ital hierarchy)传输系统.

摘要：介绍采用0.18μm CMOS工艺设计并实现的光纤通信接收机时钟恢复电路预处理器。核心电路采用乘法器加LC选频器的结构。测试结果表明,该电路可工作在10Gb/s 的输入速率上。

摘要：采用全开关状态的延时单元和双延时路径两种电路技术设计了一种高工作频率、低相位噪声的环形振荡器。环路级数采用偶数级来获得两路相位相差90°的正交输出时钟,芯片采用台湾TSMC0.18μmCMOS工艺。测试结果表明,振荡器在5GHz的工作频率上,在偏离主频10MHz处相位噪声可达-89.3dB/Hz。采用1.8V电源电压时,电路的功耗为50mW,振荡器核芯面积为60μm×60μm。

摘要：对一种支持128个用户的PCI(Peripheral Component Interconnect)总线直接存储器访问控制器(DMAC:Direct Memory Access Controller)电路所采用的电路结构进行了分析,在任务级上对电路的功能进行了划分,并通过仿真得到了不同任务分别在采用嵌入式软件和硬件逻辑电路实现时的时间开销和硬件资源开销。在此基础上,采用面向软件的软硬件联合设计方法,以13.5万等效门实现了整个设计,并通过现场可编程门阵列(FPGA)在实际应用系统中进行了功能验证。

摘要：采用TSMC公司标准的0.18μm CMOS工艺,结合锁相环和延迟锁相环技术,设计并制作了一个全集成的2.5Gbps/ch并行时钟数据恢复电路.与传统并行数据恢复电路相比,该电路不需要本地参考时钟,并且恢复出的并行数据是位同步的.输入2路并行的231-1PRBS数据,恢复出的2.5GHz时钟的均方抖动值为2.6ps,恢复出的两路2.5Gb/s数据的均方抖动值分别为3.3ps和3.4ps.