摘要：提出了一种基于Σ-Δ调制的单比特Hopfield人工神经网络(HNN)的设计方法.网络中各神经元的输入输出均为基于Σ-Δ调制的单比特信号,这解决了多比特并行分布网络扇入扇出的难题.同时在设计12神经元全并行Hopfield网络过程中,通过数字后端设计,优化了关键模块,减小了系统的面积及功耗.最后采用同步扰动学习算法(SLA)实现了在片训练系统,通过此训练系统Hopfield网络实现了文字的联想记忆.

摘要：无线通信收发系统需要锁定时间较短的锁相环,从而提高数据传输速率。主要对PFD和电荷泵模块进行研究,消除了PFD的盲区,引入的推入式电荷泵加快了锁相环的入锁。在此基础上设计了一种快速锁定电荷泵锁相环(CP-PLL),并采用TSMC 0.35μm CMOS工艺,Cadence Spectre/Virtuoso仿真工具对其进行验证。经测试,PLL能实现信号频率从203.4 MHz^286.6 MHz范围内的锁定,锁定时间小于60个时钟周期,相位噪声-107.75 d Bc/Hz@1 MHz,功耗小于13.15 m W。

摘要：采用CSMC 0.6μm2P2 M CMOS工艺设计并实现了0.5 mV高灵敏度,72dB超宽动态范围的200 Mbps CMOS限幅放大器.该电路详细分析和设计了一种新型的有源直流漂移消除环路获得这一性能.利用信号通路中的限幅放大器,实现了基于分段线性近似的接收信号强度指示电路.信号检测的动态范围高达60dB,对数精度小于2dB.整个电路在5 V单电源下工作,功耗为60 mW.芯片有效面积为1.05 mm2.

摘要：介绍了一种全集成的LC压控振荡器(VCO)的设计。该电路的中心频率为3.8 GHz,电源电压为1.8 V,采用0.18μm CMOS工艺制作。测试结果表明,VCO的相位噪声在偏离中心频率1 MHz时达到-126 dBc/Hz,调谐范围达到9%,VCO核心电路功耗小于8 mW。

摘要：设计了一种应用于移动终端的InGaP/GaAs HBT功率放大器。该放大器采用了一种新颖的在片偏置电路技术,不仅避免了由于电源和温度变化导致的直流偏置点的不稳定,而且补偿了由于输入信号增大所引起的动态偏置点的偏离。电流镜结构的偏置电路与反馈电路使偏置电压维持在一个稳定的状态,在反馈电路中引入一个非反相电路加强了电路增益。通过在偏置管的基极并联一个反偏二极管改善了功率放大器的线性。芯片采用基板的封装形式进行测试,改善了功率放大器的散热条件。测试结果表明该放大器具有27.6 dBm的输出压缩点,对于W-CDMA应用,放大器的效率为34.1%,ACPR为-40.3 dBc。

摘要：给出了一种在0.18μm CMOS工艺下应用于2.4GHz无线传感器网络(WSN)的低功耗低噪声放大器(LNA)的设计。为了满足低功耗需求,电路采用1V电压供电。低噪声放大器由级联共栅结构构成,并且将第一级电路的MOS管偏置于亚阈值区以进一步降低功耗。同时,第一级共栅电路采用电容交叉耦合结构,在降低噪声和功耗的同时提高增益;第二级共栅电路采用负载差分电感交叉正反馈的形式,在不增加功耗的情况下,提高电感等效Q值以进一步提高电路的增益。为了满足无线传感网应用需求,该低噪声放大器具有高、低两个增益模式。测试结果显示,芯片在1 V电源电压下,功耗为0.62mW;在高增益模式下,增益S_(21)约为17.3dB,噪声系数约为4.7dB;在低增益模式下增益S_(21)约1.2dB.输入1dB压缩点为-4.4dBm。

摘要：在0.18μm CMOS工艺下设计了一种用于无线传感器网络的具有低功耗、低中频特性的2.4GHz射频前端。该射频前端由一个共栅结构的可变增益低噪声放大器(VGLNA)和一个低功耗折叠正交吉尔伯特结构混频器构成,内部同时集成了一个给混频器提供IQ差分本振信号的二分频器以及一组缓冲器。其低噪声放大器具有高、低两个增益模式。为了弥补共栅低噪声放大器在增益和噪声等性能方面的不足,选取有一定增益的折叠吉尔伯特有源混频器结构。对共栅结构的低噪声放大器的设计过程、相关负载电感建模过程及混频器设计过程进行了详细分析,对整个射频前端芯片进行了测试,测试结果显示,射频前端核心电路在1.8V电源电压下工作电流为3.2mA,功耗为5.76mW;在高增益模式下,具有26dB的转化电压增益及8dB的噪声系数;在低增益模式下,输入1dB压缩点为-20dBm。

摘要：介绍了应用于WLAN IEEE 802.11a的正交调制器和上变频器的设计,给出了详尽的优化方法。正交调制器在传统Gilbert单元的基础上,采用负反馈跨导放大器来提高线性度;上变频器采用RLC谐振网络作Gilbert单元负载来提高增益,增加电压输出摆幅。电路采用TSMC 0.18μm 6层金属混合信号/射频CMOS工艺实现。在1.8 V电源电压下,静态电流为30 mA。测试结果表明,在谐振频率点的1 dB压缩点P1-dB为-8 dBm,电压增益为-2.4 dB,本振泄漏小于-50 dBm。

摘要：采用一种新的基于InP材料在 [0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术 ,设计并制作了带有 1.5 5 μm多量子阱激光器和InP/InGaAs异质结双极晶体管驱动电路的光发射单片光电集成电路。在 1.5Gbit/s 2 2 3- 1伪随机码调制下器件有张开的眼图 ,光输出功率为 2dBm ,芯片功耗约 12 0mW。

摘要：设计了应用于神经功能恢复微电子植入系统供能模块的电磁耦合模块.通过对印刷电路板(printed circuit broad,PCB)平面螺旋线圈电学参数及其互感耦合的理论分析,确定发射、接收线圈几何参数的取值.首先进行线圈电学参数测试,然后将发射和接收线圈组合成电磁耦合模块,分别在空气和皮肤两种介质条件下进行耦合测试定量实验.实验结果表明:接收电压随发射电压线性变化;发射和接收线圈空间匹配时,相对于空气介质,皮肤介质使接收电压产生更大衰减.发射和接收线圈空间匹配可以增加接收电压;在可实现的发射电压范围内,可以获得所需的接收电压.