摘要：采用TSMC0.18μmCMOS工艺设计了光接收机宽带前置放大器。该前置放大器采用具有反馈特性的跨阻放大器实现,采用了RGC(RegulatedCasacoe)电路作为输入级,同时在电路中引入电感并联补偿的技术,以拓展前置放大器的带宽。仿真结果表明:1.8V单电压源供电情况下,电路功耗15.2mW,中频互阻增益为58.4dBΩ,-3dB带宽可达到10.2GHz,可工作在10Gb/s速率。

摘要：基于共源级联放大器的小信号模型,详细分析了宽带放大器的输入阻抗特性和噪声特性。利用MOS晶体管的寄生容性反馈机理,采用TSMC公司标准0.18μmCMOS工艺设计实现了单片集成宽带低噪声放大器,芯片尺寸为0.6mm×1.5mm。测试结果表明,在3.1～5.2GHz频段内,S1112dB,S22<-12dB,噪声系数NF<3.1dB。电源电压为1.8V,功耗为14mW。

摘要：介绍了一种应用于GHz级高速频率合成器的数模混合下变频模块.采用了高速射频双模预分频器与数字逻辑综合生成的可编程吞脉冲分频器相结合的设计方法.双模预分频实现了高速低抖动低功耗,双模预分频器工作在除8状态输出133MHz频率时,均方差抖动小于2ps;可编程吞脉冲分频器算法灵活、设计复用性强,该算法可以灵活运用到许多复杂频率综合系统.相比较而言,该设计获得了更好的高频电路性能与设计复用性.

摘要：采用0.18μm SMIC数模混合与射频(RF)CMOS工艺实现了一个应用于ISM(工业、科学和医疗)频段接收机的433MHz低功耗低噪声放大器(LNA)的设计.电路通过调节源级反馈电感和在LNA输入晶体管上并联电容的方法实现了最优的噪声性能.测试结果表明,LNA在431MHz处的噪声系数为2.4dB,S21=16dB,S11=-11dB,S22=-9dB,反向隔离度大于35dB.测量的1-dB压缩点(P1dB)和输入三阶交调(IIP3)分别为-13dBm和-3dBm.芯片面积为0.55mm×1.2mm,在1.8V供电时整个电路功耗仅4mW.

摘要："植入式微电子神经桥芯片"是采用微电子的方法实现脊髓损伤功能恢复的植入式系统。为解决这一系统的供能问题,设计并制作了无线经皮能量传输系统的体内供电模块。该模块包括接收线圈、整流芯片和稳压芯片,其中接收线圈利用印刷电路板(PCB)实现,整流芯片和稳压芯片利用CMOS工艺实现。通过板上芯片封装(COB)技术,将各个部分组成体内供电模块。配合前期制作的发射模块,利用猪皮等动物组织,进行模拟植入情况的"包埋式"能量传输实验。实验结果表明,尽管动物组织对能量传输效率的影响较大,但体内供电模块仍然可以为后续芯片电路提供1.8 V的工作电压,初步实现了神经桥芯片的供能。

摘要：以一个成功实现了的、光纤通信用 CMOS限幅放大器为范例 ,介绍 IC设计和制造的整个流程 ,包括系统定义、电路模拟、版图设计。

摘要：射频芯片(RFIC)的性能极易受到键合线、外围元件与电路等片外因素的影响,通常一款商用射频芯片的设计需要经过从初始芯片设计、芯片测试验证、修正芯片设计的多轮反复过程。因此射频芯片在设计时就需要对IC电路、键合和片外元件电路进行综合考虑。根据这一特点,结合相关芯片的实践经验,讨论射频芯片测试与验证的一般方法和经验技巧,对RFIC的设计具有实用价值。

摘要：阐述了在世界和我国的微电子特别是集成电路设计与制造方面的情况和趋势。讨论了集成电路设计人才的工程训练问题。介绍了无生产线集成电路设计问题和工业先进国家对集成电路设计人员的教育成功经验，从而对设立国家专项基金支持集成电路设计人才培养和实现“中国芯片工程”的实现方面提出了具体建议。

摘要：一、引言过去的40年是集成电路迅猛发展的40年,从国防到通信,从工业智能到信息家电,从多媒体到网络,其应用领域已无所不在。而中国作为集成电路的巨大市场,由于缺乏先进的工艺和一流的集成电路设计人才。

摘要：基于0 18μmCMOS工艺设计的全差分环形压控振荡器电路,芯片总面积为0 65×0 79mm2,1 8V电源供电,总功耗155mW,中心频率6GHz,调谐范围1GHz。可应用于IEEE802 11aWLAN系统。