摘要：基于2μm GaAs HBT工艺,采用堆叠晶体管结构设计了一款5.8GHz功率放大器。通常堆叠式功率放大器在高频情况下,上下两层晶体管间需要电感来完成功率匹配,在芯片设计中其电感会增加版图面积和级间功耗,为此该设计则利用上层晶体管的基极与地之间的串联电阻、电容等效成堆叠结构级间的感性负载,从而减小了级间的损耗与匹配难度。实测结果表明,该堆叠功率放大器在5.8GHz时增益为20.6dB,饱和输出功率为29dBm,饱和输出时功率附加效率达到36.4%,芯片面积仅为1×0.85mm2。

摘要：设计了一款改进的基于交叉耦合结构的跨导运算放大器(OTA)。设计和分析过程中依据严格的理论推导,新结构在高输入摆幅下线性度得到明显优化,当输入为2V@5MHz正弦波时,谐波总量从0.7%降至0.3%,并成功应用于包络跟踪功率放大器。仿真测试基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,仿真结果表明二到五次谐波分量总和从传统OTA的-40 dB降低到-52 dB,同时在VSS系统联合仿真平台上,用15 MHz带宽的OFDM调制信号测试星座图,其聚敛性也得到了明显优化,矢量误差从4.7%降至3.6%。

摘要：为了扩大802.11n无线产品的覆盖范围,设计了一款符合802.11n标准的2.4GHz高线性功率放大器。在该功率放大器的设计中采用了双路均衡功率合成技术和差异化加速开关技术,在提供高功率输出的同时满足了802.11n的误差向量幅度(EVM)的要求,尤其是实际应用中的动态EVM。测试结果表明,该功率放大器回退7dB后的线性输出功率为27dBm,此时的EVM为-30dB,合成功率输出为29.5 dBm。该功率放大器可广泛用于无线局域网中,与各种类型的无线AP直接匹配使用,提高其覆盖范围。

摘要：介绍了射频高功率放大器设计中RF LDMOS器件的预匹配和匹配技术。针对一款高功率RF LDMOS-FET,在器件法兰封装内为其设计了预匹配电路,并在PCB板级对其进行了输入输出匹配电路的设计,使其在工作频带内较好地匹配到50Ω的系统参考阻抗上。仿真及测试结果表明,当频率为950 MHz时,该RF LDMOS功放的P-1 dB达到了48.8 dBm,直流到射频信号的转换效率达到了66.4%,功率增益在17.8 dB左右,IM3基本处在-30dBc以下,同时在整个869～960 MHz工作频带内,其S11小于-10 dB。

摘要：宽带功率放大器是现代多频段无线通信系统中的关键器件.Cascode结构由于其良好的带宽特性以及输出阻抗特性,被广泛应用在宽带功率放大器的设计当中.带宽和线性是宽带功率放大器的重要指标.通常用RLC补偿网络可以增加Cascode结构功率放大器的带宽.本文提出通过选择合适的RLC补偿网络电路参数,使得晶体管处于良好的工作状态,可以实现在增加Cascode放大器带宽的同时,改善其线性度.从电路原理上分析了——补偿网络改善功率放大器非线性的原因,并利用Volterra级数方法计算了三阶交调截止点(IP3),证实了IP3可以改善3dB±.采用2μm InGaP/GaAs HBT半导体工艺流片后,测试结果表明,其3dB工作宽带扩展了1GHz(带宽从1.5GHz扩展到2.5GHz),IP3改善了3dB,与计算结果非常一致.

摘要：提出了一种新型提高射频功率放大器功率附加效率(PAE)的电路技术,该方法通过滤除二次谐波分量、反射叠加三次谐波分量以提高电路PAE,分析了相位匹配的机制及其影响因素。基于该技术设计了一款功率放大器,仿真结果表明:工作频率为918 MHz时,该功放的P_(1db)达到了30.05 dBm,功率附加效率达到了58.75%,较普通功放提高了12%,功率增益在20 dB左右。

摘要：提出了一种具有强耦合作用的新型镇流电阻器网络,该镇流电阻器网络为树形拓扑结构,对其工作原理进行了详细分析。基于COMSOL MULTIPHYSICS软件的仿真结果表明:该镇流电阻器网络具有自适应功能,通过其耦合作用可以自动调整HBT并联阵列中晶体管的电流,使高温HBT的热量向低温HBT传递,获得更为均匀的温度分布,较好地解决了热失控问题。采用该新型镇流电阻器网络与传统镇流电阻器网络设计了两种面积相等的电路,在同等的偏置条件下测得其温度分布曲线,通过比较可以看出新型镇流电阻器网络具有更为均匀的热分布。

摘要：设计了一款包含功率检测和自适应线性化偏置电路的CDMA功率放大器,功率检测器能根据输入信号的大小来调整功率管的偏置点,大幅提升低功率输出时的效率,从而提升系统整体效率;自适应线性化偏置能有效抑制功率放大器的增益压缩和相位失真,改善其线性度。采用2μm InGaP/GaAs HBT晶体管工艺成功流片,测试结果表明,与普通功率放大器相比较,当输出功率小于10 dBm时,新型功率放大器的集电极电流大幅降低,系统整体效率提高了2.2倍;1 dB增益压缩点由30 dBm增加到32 dBm;当输出功率为28 dBm时,ACPR和ALTR分别改善了5 dB和12 dB,IM3改善了11 dB。

摘要：提出一种自适应线性化偏置的电路结构,通过调节控制电压改变偏置管的工作状态,提高功率放大电路的线性度,降低偏置电流对参考电压和环境温度的敏感度。利用双反馈环结构抑制输入阻抗随频率的变化,实现了宽带匹配,拓展了放大器的带宽。采用微波电路仿真软件AWR进行仿真,验证了带宽范围内的相位偏离度在2°以内。基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计了集成电路版图并成功流片。测试结果表明:在3.5V电压供电下,该放大器在1～2.5GHz频带范围内,输入反射系数均在-10dB以下,功率增益为23dB,输出功率大于30dBm,误差向量幅度在2.412GHz时为2.7%@24dBm,最大功率附加效率达40%。

摘要：为了提高射频识别(RFID)阅读器中接收机的动态范围,并实现对贴有标签目标物体的跟踪,在分析传统自动增益控制模块的基础上,设计了一种适用于RFID接收机的大动态范围自动增益调整电路,电路结构简单。基于ADS软件的仿真结果表明:该电路能够根据输入信号的功率水平自动地调整其增益,输入动态范围高达80 dB,自动增益调节范围为0～59 dB。该自动增益调节电路可以应用于超高频RFID阅读器的接收机,使接收机达到很高的动态范围,有利于对复杂电磁、地理环境下的目标物体的跟踪与距离评估。