摘要：本文提出了一种支持IEEE802.11n标准的高性能双向放大器设计方案,该放大器采用了基于微带线的Wilkinson功率分配/合成网络进行双路功率放大的合成,既保证了大的功率输出,而且解决了传统单功放结构下EVM指标差的问题。文章通过仿真验证了功率合成网络的可行性,并设计出了高输出功率高线性度的双向放大器。实验的测试结果表明,采用该方案的双向放大器发射通道的输入反射系数小于-20dB,在30dBm输出时,EVM为-30.4dB,满足IEEE802.11n的标准。

摘要：提出了一种用于宽带放大器的新型输入匹配技术,给出了一种带行波传输匹配(TWM)网络的宽带共集电极输入匹配电路,对其TWM网络进行了详细分析。基于AWR软件的仿真结果表明:该TWM网络在宽频带内具有良好的输入阻抗匹配特性。采用截止频率为29.5 GHz的2μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计了一款具有TWM输入匹配网络的宽带放大器,并成功流片。测试结果显示,该宽带放大器在40 MHz^22 GHz频率范围内可获得良好的输入匹配,输入反射系数S11稳定在-10 dB以下,功率增益在7.5 dB左右,其带宽范围几乎接近于晶体管的特征频率,直流功耗仅为20 mW左右。

摘要：提出了一种具有可调预失真功能的共集电极放大电路,对其动态偏置点及双负反馈回路进行了分析。AWR Microwave Office仿真表明：该预失真电路产生的增益扩展与负相位偏差可以补偿该功率放大器后级电路产生的增益压缩和正相位偏差,提高其线性度。采用该预失真电路作为输入级,设计了一款功率放大器,并基于截止频率为29.5GHz的2μm InGaP/GaAs HBT工艺成功流片。测试结果表明,该宽带放大器在3.5V偏置电压下和1.3~2.0GHz频段范围内功率增益可达27dB,P1dB为28.6dBm,最大功率附加效率为39%。

摘要：提出了一种拓展带宽的新型电路拓扑结构,该结构由四级射极跟随器级联而成,通过自适应有源偏置电路调节各级晶体管跨导,以及改变级间电感与后一级射极跟随器的结电容Cbe谐振峰的频率位置来拓展带宽。对其工作原理和稳定性进行了分析,并基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计了应用此结构的宽带放大器。仿真结果表明:新型电路拓扑结构能有效地扩展带宽,提高增益。在2 GHz～8.5 GHz的频率范围内,增益达到20 dB,增益平坦度小于±0.5 dB,P1 dB点输出功率大于17 dBm。

摘要：本文提出了一种带有电阻-电容(RC)补偿网络的宽带共集电极输出匹配电路.此输出匹配电路包含两个部分:一是带有两个电阻的射级分压器,并在与地相接的电阻上并联电容;二是在其输出端增加一段传输线和电容,构成低品质因素的宽带阻抗转换器.一般情况下,随着工作频率的升高,简单共集电极放大器的输出阻抗逐渐增大并呈现电感特性,该特性不易于输出匹配电路的设计.本文提出的RC补偿网络补偿了简单共集电极放大器输出阻抗的电感特性,使其在工作频带内近似为恒定值,从而在输出端获得了良好的宽带匹配.采用该宽带共集电极输出匹配电路作为输出级设计了一款宽带放大器,通过计算机仿真验证了其在带宽范围内具有良好的输出阻抗匹配特性.基于2μmInGaP/GaAs异质结双极型晶体管半导体工艺,该宽带放大器成功流片,通过测试验证了其在30kHz～23GHz频率范围内获得了良好的带宽增益和输出匹配,小信号增益S21保持在7.5dB以上,输出反射系数S22保持在-10dB以下.

摘要：采用电磁场（EM）建模的分析方法，提取了砷化镓衬底上MIM电容、方形螺旋电感和微带传输线的等效电路模型，并应用于一种π形匹配网络的设计，该模型充分考虑了衬底损耗、趋肤效应、接近效应等因素，对无源元件电特性的影响，基于GaAs半导体工艺进行了流片。测试结果表明，在0．1～40GHz频率范围内，采用EM技术提取的元件参数值有效地吻合了其测试值。采用EM等效电路模型设计的电路与传统模型设计的电路相比，更接近于流片后的实际结果，该方法不仅有效地提高了微波集成电路设计的准确度，而且缩短了设计周期、节省了设计成本。

摘要：基于推挽式结构设计了一款新型射频功率放大器,分析了推挽式结构的工作原理,构建了输入输出无损耗匹配网络。采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果表明:该功率放大器在700MHz～1100MHz的频率范围内,其增益为25dB,在1dB增益压缩点处,输出功率大于2W,功率附加效率为50%,OIP3大于44dBc。

摘要：提出了一种具有串、并联负反馈网络的有源预失真电路,对其工作原理进行了分析。基于AWR Microwave Office软件的仿真结果表明:该预失真电路能够产生增益扩展与负相位偏差,可将其用于补偿功率放大器后级电路产生的增益压缩和正相位偏差,提高功放的线性度。将该预失真电路作为输入级设计了一款功率放大器,并基于截止频率为29.5 GHz的2μmInGaP/GaAs HBT工艺成功流片,测试结果表明:在3.5 V偏置电压下、1.5～1.8 GHz频段范围内,功放的功率增益可达27dB,P1dB为28 dBm,最大功率附加效率为36%。

摘要：GaAs HBT是设计微波单片功率放大器的主要工艺之一,而集电结电容CBC是HBT功率放大器产生非线性的主要参量。文中采用Gummel-Poon晶体管模型分析了HBTCBC随电路偏置变化的规律,给出了CBC随输入功率的变化趋势,并基于Microwave Office软件进行了仿真验证。理论分析及仿真结果表明:CBC随输入信号功率的增大而增大,是功率放大器产生幅度和相位失真的主要原因,最后通过电路设计及测试验证了理论分析及仿真的正确性。

摘要：根据负反馈原理,提出一种复合管结构来补偿异质结双极型晶体管(HBT)的自热效应。仿真和测试曲线结果表明,在较宽环境温度和较大输出电流密度范围内,复合管的自热效应得到了有效抑制,静态工作点稳定,采用此复合管设计的功率放大器的1 dB提高了2 dB,线性得到了改善。