摘要：采用金属有机物化学气相淀积 (MOCVD)方法设计并生长了应变多量子阱 In Ga As/Al Ga As,并且对其进行了光致发光 (PL)谱、双晶 X射线衍射 (DXRD)谱和电化学 C- V等的测试。然后以 In Ga As/Al-Ga As作为有源层 ,以 Ga As衬底作为透明衬底 ,p面金属电极 Au Be合金作为镜面反射层 ,采用倒装技术制备了近红外发光二极管 (L ED)。在输入电流为 2 0 m A下的正向电压为 1.2 V左右 ,电致发光谱的峰值波长为 938nm,10 μA下的反向击穿电压为 5～ 6 V,在输入电流为 5 0 m A下得到输出功率 3.5m W,对应电压为 1.3V,在输入电流为 30 0 m A时得到最大输出功率为 12 m W。

摘要：为改善宽面940nm半导体激光二极管(LD)的输出功率及光电转换效率(WPE),设计并制作了一种包含梯度渐变折射率(GRIN)结构的新型量子阱激光器。通过二维自洽软件模拟计算了新结构激光器与传统分别限制结构(SCH)激光器的能带结构,结果表明新的激光器结构能够显著消除各异质结间的过渡势垒。通过低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法生长了高质量激光器外延材料。制成后的100μm条宽、2000μm腔长的激光器器件在室温25℃下经过连续(CW)电流测试发现,梯度渐变折射率结构激光器较分别限制结构激光器在10A电流下电压约低0.07V。通过结构与生长优化,激光器内吸收系数从0.52cm-1降至0.43cm-1,最大光电转换效率由69%提升至76%。最终制成的940nm半导体激光器器件室温25℃下输出功率10.0W(10A电流时),斜率效率高达1.24W/A。

摘要：通过分析激光器的结构,优化设计了非对称宽波导激光器结构及外延生长条件。利用低压金属有机化合物气相淀积技术(LP-MOCVD)生长了高质量的InGaAsP/GaInP无铝应变量子阱外延材料,制作成808 nm高功率半导体激光器mini阵列,将其应用到1 064 nm全固态激光器中。20℃下,制作的808 nm,0.5 cm半导体激光器mini阵列,连续驱动电流50 A时输出功率达到50 W,最高光电转换效率达到53%。将该808 nm激光器mini阵列应用到全固态1 064 nm激光模组中,50 W,1 064 nm激光输出时,工作电流只有15 A。经过多于500 h老化以后,1 064 nm全固态激光器的功率衰减小于2%。

摘要：设计并利用 MOCVD在 (311) Ga As衬底上生长了 12 .5个周期的 Al0 .6 Ga0 .4 As/ Al As黄绿光分布式 Bragg反射 (DBR)体系 ,测量了白光反光谱及其外延片峰值波长分布 ,反射率 90 %以上 ,波长不均匀性在 1.0 %以下 ;利用了 X射线双晶衍射对其进行结构表征 ,5 80 nm波长 DBR结构周期为 84 .5 nm。

摘要：设计了808 nm高功率GaAsP/InGaAlP/GaAs半导体激光器,采用无铝张应变量子阱和非对称宽波导结构,通过优化金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长条件,提高了外延材料的生长质量,有效提升了激光器转化效率和输出功率。制作了200μm条宽、1500μm腔长的激光器器件,室温连续条件(CW)测试其阈值电流为650 mA,斜率效率高达到1.35 W/A,输出功率在11 W以上,激射波长808.5 nm@5A,水平和垂直发散角分别为8°和30°,较小的发散角有效的提高了输出光功率密度。

摘要：本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3nm和6nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843nm和942nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效应和应变效应引起的InGaAs/AlGaAs量子阱带隙的改变,这解释了两组样品室温下PL发射波长变化的原因。

摘要：用MOCVD方法生长了3种InGaAs/Al0.2Ga0.8As应变多量子阱(MQWs)样品,用于研究在气相中TMIn的含量对MQWs的发光波长和半峰宽(FWHM)以及在X射线中零级峰位的影响。研究表明,随着In组分在MQW中的增加,MQWs中应变也随之增加,这是造成FWHM增大的原因。同时也研究了应变MQWs中In组分与气相中TMIn含量的关系,为准确设计和控制MQWs的组分提供了依据。

摘要：设计制作非对称宽波导结构无铝量子阱激光器,可降低内部损耗,实现低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用金属有机气相化学沉积(MOCVD)进行外延生长,制作了100μm条宽,1500μm腔长的808nm激光器器件,镀膜后阈值电流230.5mA,斜率效率1.31W/A。连续电流条件下,得到最大输出功率超过8W,并且计算得到内吸收系数为1.7cm-1。

摘要：提出一种基于650 nm单角度面增益芯片的波长调谐干涉光源。基于外腔激光器的腔增益模型,研究了增益芯片输出端反馈强度、增益带宽等核心参数对激光器稳定性和调谐特性的影响,明确了可调谐干涉光源对增益芯片的基本要求。在国内现有650 nm法布里-珀罗(FP)激光器外延技术的基础上,通过设计和生长芯片的量子阱和单角度面波导结构,并优化芯片的制程,成功制备了增益带宽为8 nm、功率为5.5 mW的650 nm低内腔反馈增益芯片。利用该芯片研制了功率大于7 mW、无跳模调谐范围大于100 pm、分辨率达到10 fm的波长调谐干涉光源,该光源已成功应用于600 mm口径波长调谐干涉仪。多次干涉测量结果的标准差小于0.0001λ,表明该光源能够满足大口径高精度波长调谐干涉仪的使用需求。

摘要：红光半导体激光器被广泛用于景观照明、塑料光纤通讯、空气质量检测和医疗等方面,但受限于其可靠性不高及光斑质量差的缺点,在制作点光源或耦合进光纤等方面增加了应用成本。为解决此问题,本文设计并制作了基横模工作的650 nm脊型半导体激光器。结合AlGaInP材料的特点,我们使用极窄波导光场扩展结构,使光场渗入限制层,增加了光场扩展宽度,有效降低了激光器的垂直发散角。通过电感耦合等离子刻蚀技术得到陡峭的2μm宽度的窄脊型结构,然后通过湿法工艺去除损伤并腐蚀到阻挡层位置。干湿结合的工艺使得激光器能稳定地基横模输出。制作的激光器远场图形呈近圆形分布,克服了传统半导体激光器光斑狭长的缺点。功率测试在30 mW以上没有出现功率曲线扭折,并且制作的激光器通过了60℃下10 mW的老化测试,推算的平均失效时间(MTTF)大于18 000 h。