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检索条件"机构=工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室"

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光电耦合器的长期贮存退化特性分析: 收藏
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引用; 《电子产品可靠性与环境试验》2013年第1期31卷 27-30页; 作者：杨少华李坤兰工业和信息化部电子第五研究所广东广州510610 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广东广州510610; 介绍了某光电耦合器在自然条件下的贮存退化特性,长期贮存14年后出现了电流传输比和集电极暗电流等性能参数退化失效。其性能参数退化的原因为内部水汽含量高、胶体开裂。该试验结果对于贮存寿命设计和贮存延寿工程有一定的参考价值。; 介绍了某光电耦合器在自然条件下的贮存退化特性,长期贮存14年后出现了电流传输比和集电极暗电流等性能参数退化失效。其性能参数退化的原因为内部水汽含量高、胶体开裂。该试验结果对于贮存寿命设计和贮存延寿工程有一定的参考价值。; 来源：详细信息评论

电迁移寿命预警电路设计: 收藏
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引用; 《电子产品可靠性与环境试验》2012年第B05期30卷 233-237页; 作者：王浩罗宏伟陈义强陈媛广东工业大学材料与能源学院广东广州510006 工业和信息化部电子第五研究所广东广州510610 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广东广州510610; 提出了一种电迁移寿命的实时预测方法,并在0.18μm CMOS混合信号工艺下完成了预警电路的设计。预警电路与主电路放置在同一芯片上,经历相同的制造工艺和环境参数,任何影响主电路可靠性的因素都将施加在该预警电路上,从而克服了离线测试...; 提出了一种电迁移寿命的实时预测方法,并在0.18μm CMOS混合信号工艺下完成了预警电路的设计。预警电路与主电路放置在同一芯片上,经历相同的制造工艺和环境参数,任何影响主电路可靠性的因素都将施加在该预警电路上,从而克服了离线测试的局限性,具有实时在线测试的优点。当预警电路中电迁移引起的金属膜电阻器的阻值超过预设的界限时,其输出电平就会发生翻转,发出顶警信号,主电路即将发生失效。; 来源：详细信息评论

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