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检索条件"机构=常熟理工学院物理电子系"
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高P_r/低P_r栅FFET漏极电流与铁电材料特性的关系
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《微纳电子技术》2010年 第11期47卷 659-662,673页
作者：顾江 施敏 王强 蔡小鹏常熟理工学院物理电子系江苏常熟200041 南通大学电子信息学院江苏南通226019 南通大学计算机科学与技术学院江苏南通226019 
分析了对铁电场效应晶体管漏极电流特性有影响的铁电材料参数,设计了具有单层和双层栅介质结构的铁电场效应晶体管,并进行了仿真研究。仿真结果表明：具有高Pr/低Pr栅介质结构的铁电场效应晶体管在饱和极化后,其极化前后输出漏极电流差...
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