摘要：泄漏功耗是集成电路应用中的关键问题,体偏置调节技术是最常用的功耗调节技术之一。传统的体偏置调节电路具有偏置电压范围小、多电源电压等问题,不仅增加了整个系统的成本,还限制了体偏置调节技术的优化效果。基于22 nm fdsoi(Fully Depleted Silicon On Insulator)RVT(Regular Voltage Threshold)工艺,本文提出一种适用于22 nm fdsoi RVT数字集成电路的宽范围体偏置调节电路,该电路具有可编程的(0 V,±2 V)宽电压输出范围,可实现50 mV的偏置电压分辨率,而且不需要额外的电源输入。基于22 nm fdsoi工艺实现了测试电路,仿真结果表明,本文提出的体偏置调节电路可将测试电路的待机泄漏降低34%~92%,并具有较宽的性能跟踪范围。