摘要：提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化,从而大大地提高了上述模型的计算效率.基于表面势的解析计算和薄层电荷方法,提出了包括小尺寸效应和翘曲效应的电流电压模型.同时,文中还提出了基于电荷的电容模型.电流和电容模型在线性区和饱和区都是连续和准确的,不需要没有物理意义的光滑处理.与实验数据的比较发现,模型和实验数据符合得较好,这也证明了所提出模型的准确性.并且,该模型适用于电路仿真器.

摘要：设计并实现了一种3阶多级累加器级联架构MASH 2-1的数字Δ∑调制器.Matlab仿真结果显示该结构具有良好的噪声整型特性.提出了一种基于MASH 2-1Δ∑调制器的II型4阶锁相环,并给出了相应的Matlab仿真及频谱仪测试结果.结果表明锁相环的稳定输出频率符合设计要求.

摘要：针对传统SGP模型的不足,介绍了一种新型的BJT模型MEXTRAM504及其等效电路,与传统模型相比,MEX-TRAM显示了极高的准确度。由于特别增加了描述基区缓变和基区载流子复合的两个参数,使MAXTRAM适合模拟加入SiGe工艺技术的HBT,模拟曲线与Medici的模拟相当吻合,为射频器件设计和电路模拟奠定了良好的基础。

摘要：A new physical current-voltage model for polysilicon thin-film transistors （poly-Si TFTs） is presented. Taking the V-shaped exponential distribution of trap states density into consideration,explicit calculation of surface potential is derived using the Lambert W function, which greatly improves computational efficiency and is critical in circuit simulation. Based on the exponential density of trap states and the calculated surface potential, the drain current characteristics of the subthreshold and the strong inversion region are predicted. A complete and unique drain current expression, including kink effect, is deduced. The model and the experimental data agree well over a wide range of channel lengths and operational regions.

摘要：集成电路产业在遵循摩尔定律发展进入纳米时代后,制造工艺效应对芯片电学性能的影响越来越大,使得在设计的各个阶段都必须考虑可制造性因素。介绍了可制造性设计中的分辨率增强技术、工艺可变性,以及建立可制造性设计机制中的多方合作问题。

摘要：论述了高速数据处理和高密度封装技术的特点及对射频系统封装的特殊要求,介绍了射频系统 封装的基本技术和一种包含LNA、PPA、滤波器及天线开关的射频系统级封装模块。概述了射频系统级封 装的设计、仿真和测试的方法和步骤。

摘要：提出一种以MATLAB为主要工具的TFT-LCD屏显示缺陷检测方案,该方案根据CMOS工业摄像机采集到的数字图像,结合二维图像拟合技术和以韦伯定律为原理的自动阈值获取技术,使用MATLAB作为数字图像分析工具实现对屏幕缺陷的检测。介绍了该方案的硬件组成和检测原理,给出了MATLAB算法流程和部分代码、介绍了GUI检测界面的设计和详细的检测步骤及结果,为TFT-LCD液晶屏显示缺陷的检测提供了一种快速有效的方法。

摘要：泄漏电流是多晶硅薄膜晶体管应用的一个主要问题。多晶硅薄膜晶体管泄漏电流的建模对集成多晶硅薄膜晶体管设计和工艺改进具有重要意义。总结了多晶硅薄膜晶体管泄漏电流建模思想,并对三种基于不同物理机制的典型模型进行了评述,分析讨论了其优缺点;最后,对当前建模工作进行了总结与展望。

摘要：随着半导体制造技术的不断改善和工艺的不断升级,精确的模型参数对于代工厂和设计者尤为重要。而参数提取策略的选择是整个参数提取过程中的关键步骤。该研究以伯克利大学开发的SPICE Level-3MOSFET和多晶硅薄膜晶体管模型为研究对象,以包括了短沟效应、窄沟效应、漏致势垒降低效应的MOSFET阈值电压方程和多晶硅薄膜晶体管统一漏电流方程作为研究出发点,然后分别讨论了模型中几个主要参数的提取方法,最后给出了参数提取的流程图。

摘要：根据RSDS接口规范,围绕接口接收器最小建立保持时间的性能,重点研究低摆幅差分信号放大器的设计.基于特许0.35μmCMOS工艺,先介绍使用基本OTA结构实现差分信号放大,并结合流片测试结果分析其优缺点.针对输出信号抖动的问题,提出一种对称输出结构,仿真结果表明该电路结构使放大器输出的占空比相关抖动峰峰值减小了80%,有效地改善了接收器最小建立保持时间.