摘要：提出了一种新颖的双模式高集成开关电容电荷泵。该电荷泵集成高频振荡器、电平移位、逻辑驱动以及4个功率MOSFET开关。与传统电荷泵相比,该电路可以工作在单电源以及双电源两种模式。单电源模式下,输出电压为-VCC;双电源模式下,输出电压为-3×VCC。电路采用0.35μm BCD工艺实现。测试结果表明:室温时,单电源模式和双电源模式下电荷泵输出电流分别为36 mA和80 mA时输出电压分别为-3.07 V和-12.10 V。在-55℃到125℃温度范围内,单电源模式和双电源模式下电荷泵输出电流分别为24 mA和50 mA时输出电压分别低于-3.06 V和-12.35 V。该电荷泵在两种模式下工作特性良好,已应用于相关工程项目。

摘要：介绍了一种基于0.7μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速度,采用多数决定运算法则设计单层晶体管并联型进位电路来降低功耗。测试结果表明,全加器的最高时钟频率达32.2 GHz,包含锁存器的全加器整体电路功耗为350 mW。

摘要：基于薄膜铌酸锂(Lithium Niobate on insulator,LNOI)材料平台,设计并制备了中心波长1550 nm、4通道且通道间隔为400 GHz的阵列波导光栅,并完成了LNOI波导端面抛光。测试结果表明,该阵列波导光栅相邻通道间串扰约-7.5 dB,通道非均匀性小于0.5 dB,中心波长1551.3 nm,但存在较大插入损耗,约27.2 dB。该研究工作对研制高性能LNOI阵列波导光栅具有重要推动作用。

摘要：介绍了一种小型高性能的高通滤波器,该高通滤波器利用两层硅片来实现悬置带线的结构,采用立体布线和通孔的方式来接地,运用HFSS三维电磁场仿真软件设计出了一款截止频率为7.6GHz的MEMS高通滤波器,运用MEMS工艺在两层硅衬底上进行了样品的研制。样品取得了良好的测试结果,其中通带内的插入损耗小于1.2d B,通带回波损耗小于10.9d B。

摘要：设计了一款采用0.20μm GaN HEMT工艺研制的13~15.5 GHz功率放大器芯片。基于loadpull测试获得GaN HEMT管芯的最佳输出功率和最佳效率阻抗。此外,设计了一种宽带低损耗输出匹配电路,提高了功放芯片的功率及附加效率,并将输出匹配电路中的单电容改为双电容串联的形式,降低了电容极板的电场强度,提高了芯片的可靠性。该芯片在13~15.5 GHz频率范围内,漏压28 V(100μs脉宽,10%占空比)条件下,线性增益大于30 dB,功率增益大于24 dB,典型饱和输出功率为20 W,附加效率>42%,最高效率达到47%;漏压连续波条件下,典型饱和输出功率达到16 W,附加效率>31%,最高效率达到35%;芯片面积为3 mm×3 mm。

摘要：定量地分析了输入谐波控制理论对功放效率的影响。同时,选用了南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT器件,并对该GaN HEMT器件进行了负载牵引仿真和大信号仿真。根据仿真结果发现,通过输入谐波控制可以提升射频功率放大器的效率,在频带内能获得3~10%的效率提升。以此设计了一款X波段单级MMIC功放。经测试,该功放芯片在9.2~11.3 GHz范围内功率附加效率最大可以达到52.88%。

摘要：设计了一种基于0.7μm的In P HBT工艺设计的12位8GSps的电流舵型数模转换器(DAC)。采用双采样技术,将输出采样率提高为时钟频率的两倍。并且将双采样开关与电流开关分离以减小码间串扰。借鉴常开电流源法改进了电流源开关结构。新的结构增大了输出阻抗和稳定性,抑制了谐波失真,提高了芯片动态性能。通过仿真结果得到,这款芯片功耗2.45 W,实现了0.4 LSB的微分非线性误差(DNL)和0.35 LSB的积分非线性误差(INL)。低频下无杂散动态范围(SFDR)为71.53 d Bc,信号频率接近奈奎斯特频率时最差的SFDR为50.54 d Bc。在整个第一奈奎斯特域内,SFDR都大于50 d Bc,满足高端测试仪器的应用要求。

摘要：AHRS系统中通常采用针对MEMS加速度计与磁强计融合姿态角和陀螺仪输出数据进行Kalman滤波的方法,但是这种方法中MEMS加速度计与磁强计基于MARG方法融合要求载体处于静态状态,否则会出现线加速度带来误差。提出一种互补滤波与卡尔曼滤波结合的方法对航姿参考系统进行姿态解算,用自制AHRS硬件平台进行静态与动态测试。实验表明:这种方法在静态条件下可有效抑制漂移噪声,在动态条件下可提高姿态角解算精度。

摘要：T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一。文章提出了针对高密度组件的各种散热措施,采用热仿真软件对T/R组件沟道温度进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证,并将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R组件的使用要求。

摘要：南京电子器件研究所通过外延层转移的方法在国内首次实现了InPHBT与Si MOSFET两种晶体管的单片异构集成，突破了InP HBT外延层转移、三维高密度异构互联、异构集成电路设计等关键技术，研制出13GSps 1：16异构集成量化降速芯片，如图1所示，共包含453个0．7μm InP HBT器件与1036个0．18μm Si MOSFET器件。