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基于高Q值Si3N4片上光学微腔的孤子光频梳
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《半导体光电》2024年 第2期45卷 211-215,318页
作者：杜润昌成都天奥电子股份有限公司技术研发中心成都610037 
高Q值片上微腔已被证明是一种性能优异的克尔孤子光学频率梳产生平台。由片上多模波导构成的Si3N4微腔可以同时实现产生暗孤子所必须的高品质因子和反常色散。为了进一步降低产生单孤子光频梳的阈值功率,文章设计了一种具有欧拉弯曲的...
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