摘要：耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管（ＢＳＩＴ），其电流放大系数（ｈＦＥ）具有负的温度系数．双极结型晶体管（ＢＪＴ）的ｈＦＥ具有正的温度系数．将ＢＳＩＴ与ＢＪＴ并联，采用ＢＪＴ常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟道基区双极ＰＮＰ晶体管．本文描述了这种新器件结构、工作原理、设计与制造．新器件突出特点是：当温度变化较大时，ｈＦＥ漂移较小．测试结果表明：环境温度从２５℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度Ｔ的变化率小于３５％．优于同类型的常规双极结型晶体管，平均改善２０％．当温度从２５℃降到－５５℃，器件的ｈＦＥ变化率小于或等于３０％．

摘要：耗尽基区晶体管也称为双极静电感应晶体管(BSIT),其电流放大系数h_(FE)具有负的温度系数。双极结型晶体管(BJT)的h_(FE)具有正温度系数,将BSIJ与BJT并联,采用BJT常规工艺制造了pnp高频高反压沟道基区全温晶体管。 本文描述了这一器件的结构,工作原理,设计与制造。该器件的特点是:当温度T变化时,h_(FE)漂移较小。 测试结果表明,环境温度从25°升到180℃时,器件的h_(FE)随温度T变化率小于35％,优于同类型的常规双极结型晶体管,平均改善20％。当温室从25°降到-55℃时,器件的h_(FE)变化率小于或等于30％