文献检索-宁波市创意产业特色资源库

限定检索结果

一种具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的1200 V/20 A SiC MPS: 收藏
分享
引用; 《微电子学》2024年第1期54卷 141-144页; 作者：易波徐艺马克强王思亮蒋兴莉胡强程骏骥杨洪强电子科技大学集成电路科学与工程学院成都611731 成都森未科技有限公司成都611731; 通过离子注入优化,成功研制了一款六角形元胞设计的1 200 V/20 A的具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的SiC MPS芯片。在25℃和175℃下的测试结果表明,导通压降VF分别为1.48 V和2.03 V;归功于优化的离子注入和元胞设计,1 200 V耐压时,肖特...; 通过离子注入优化,成功研制了一款六角形元胞设计的1 200 V/20 A的具有低泄漏电流和高浪涌电流能力的SiC MPS芯片。在25℃和175℃下的测试结果表明,导通压降VF分别为1.48 V和2.03 V;归功于优化的离子注入和元胞设计,1 200 V耐压时,肖特基界面的最强电场强度仅为1.25 MV/cm。研制的MPS的泄漏电流仅为4.3μA(@25℃)和13.7μA(@175℃)。并且25℃和150℃下测试的浪涌电流高达258 A和252 A,约为额定电流的13倍。; 来源：详细信息评论

限定检索结果