摘要：背景:电磁脉冲照射可引起实验大鼠学习记忆能力下降,并可造成离体海马神经元的胞内钙超载,进而发生坏死和凋亡,物理屏蔽可减轻电磁辐射对实验动物的损伤,但缺乏在细胞模型上进行的药物防护研究。目的:观察药物防护电磁脉冲致离体海马神经元损伤的可能性。设计:随机对照动物实验。单位:承德医学院基础部。材料:实验于2004-01/2005-01分别在军事医学科学院和承德医学院完成。实验动物选用Wistar乳鼠若干只。方法:断头取脑分离海马组织,进行海马神经元原代培养与鉴定,原代培养的海马神经元经MK801(N-甲基-D-天冬氨酸受体拮抗剂)和尼非地平(L型钙离子通道阻断剂)预处理后进行电磁脉冲照射。电磁脉冲照射条件为6×104V/m,脉冲上升时间20ns,脉宽30μs,频率2.5脉冲/min,作用2min。将培养在特殊培养皿的细胞分为正常对照组、电磁脉冲照射组、MK80120μmol/L组和MK80120μmol/L+尼非地平1μmol/L组。采用MTT法对细胞活力进行测定;FACS法检测细胞凋亡率;Fluo-3-AM荧光探针负载、激光共聚焦显微镜扫描测定神经元胞内游离钙离子浓度[Ca2+]i。主要观察指标:各组细胞内钙超载、细胞活力、细胞调亡的情况比较。结果:①电磁脉冲组在照射后即刻的[Ca2+]i荧光强度显著高于正常对照组,差异有显著性意义([107.34±26.14),(54.93±16.08),P<0.05];MK80120μmol/L组比电磁脉冲照射组的[Ca2+]i荧光强度有所下降(81.29±19.96,P<0.05),而MK80120μmol/L+尼非地平1μmol/L组的[Ca2+]i荧光强度呈进一步下降趋势(69.82±25.54,P<0.05)。但两个给药组的[Ca2+]i荧光强度仍高于正常对照(P<0.05)。②MK80120μmol/L组和MK80120μmol/L+尼非地平1μmol/L组反映细胞增殖活力的吸光度值分别为0.25±0.06和0.27±0.07,明显高于电磁脉冲照射组(0.17±0.08,P<0.05),但仍低于正常对照组(0.33±0.08,P<0.05)。③电磁脉冲照射组在照后即刻的细胞凋亡率显著高于正常对照组,差异有显著性意义([68.63±9.04)%,(20.14±4.34)%,P<0.01];MK80120μmol/L组比电磁脉冲照射组的细胞凋亡率有所下降(62.12±11.08)%,MK80120μmol/L+尼非地平1μmol/L组的细胞凋亡率呈进一步下降趋势([53.69±13.60)%,P<0.05)],但两个给药组的细胞凋亡率仍高于正常对照组(P<0.01)。结论:MK801和尼非地平预处理可部分阻断电磁脉冲所致的海马神经元损伤;细胞内钙超载在电磁脉冲损伤机制中发挥重要作用。

摘要：离子通道是细胞膜上控制离子进出的功能蛋白,在细胞生命活动中发挥重要作用.离子通道具有对离子的选择性、通透的饱和性和开关的可控制性等特点;膜电压的变化、机械刺激和某些信号分子都可以调控离子通道开关;离子通道担负着离子吸收、渗透压调控、电冲动的形成和信号转导等重要的生理功能.离子通道的结构或功能失常会导致一些严重的疾病,对离子通道进行研究,寻找和设计调控离子通道的有效药物是治疗相关疾病的重要手段.