摘要：提出一种新型RAM锁存器,通过引入并行充电支路,可避免开关电流和充电速度之间的矛盾。与传统结构相比,新结构不仅能提高充电速度,而且能降低短路功耗。此外,新结构中时钟负载只有一个MOS管,能有效降低时钟功耗。Hspice仿真结果表明,新的RAM n-锁存器和p-锁存器速度分别提高12.8%和25.5%,功耗延迟积分别降低19.8%和26.9%。

摘要：提出一种多级放大时间数字转换器新型结构。该结构由粗测和细测组成,粗测部分利用延时链得到小于一个延时单元的关键余量,并设计了面积小、功耗低的关键余量选择逻辑。细测部分,利用两倍时间放大器和过半判断器从高位到低位依次产生4位二进制码。在SMIC 65 nm工艺下仿真,新型结构的分辨率为1.44ps,量程为736 ps,转换速度可达470 MS/s,在100 MHz频率下,平均功耗仅为1.3 m W。对两倍时间放大器设计了校准电路,提高了抵抗PVT的能力,得到良好的积分非线性。