摘要：随着混合及纯电动汽车(HEV/EV)的快速发展,作为电动汽车动力系统核心部件,汽车级功率半导体模块己成为功率半导体产业最快的增长点之一。为满足汽车系统在功率、频率、效率、可靠性、重量、体积和成本等方面的严格要求,汽车功率模块的验证标准必须高于工业标准。因此,在汽车级功率模块开发中,采用先进的设计、材料和封装技术非常必要。主要讨论了当前电动汽车功率半导体模块封装现状和发展趋势。简要介绍了客户对汽车功率模块在功能和性能方面的要求;讨论和评估了当前最先进和典型的商品化和客户定制化电动汽车功率模块,对其模块结构、材料和封装技术等方面进行了点评;最后讨论了汽车级模块封装发展趋势。

摘要：为保护绝缘栅双极晶体管(IGBT)测试电路及芯片失效信息,提出了一种新型的无损IGBT短路安全工作区测试电路,可以在器件测试时根据测试电流、电压波形特征,自动识别IGBT是否发生失效。一旦被测器件在测试过程中发生失效,测试电路能够立即自动将电流旁路,保护芯片表面不受二次大电流破坏,进而保护芯片失效信息,为芯片的失效分析提供依据。根据设计搭建了测试保护电路,并进行实验比较。通过分析对比失效IGBT模块及芯片内部结构,发现该新型测试电路能在IGBT失效后,保护被测IGBT芯片不被进一步破坏,为失效分析提供充分依据。

摘要：PVD设备的工作原理及热铝工艺介绍。分析热铝腔压环的结构和材质,通过对其进行改造,解决PVD设备热铝工艺腔由于压环导致碎片的问题。

摘要：为满足中高频大功率市场对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和高速恢复二极管(FRD)芯片的需求,通过对IGBT的元胞结构采用背面集电极发射效率控制和局部少子寿命控制技术,在导电压降少量增加的前提下,使关断损耗下降了30%,从而提高关断速度;对IGBT的终端结构采用新型钝化技术,大幅降低了漏电流,有利于提高开关速度;对FRD采用全局和局部寿命控制技术,降低了高温反向漏电流,同时满足软反向恢复的要求,提高器件的可靠性。在已有量产8英寸IGBT DMOS+技术平台上,设计和制造了满足中高频应用的3300 V IGBT和FRD芯片组。

摘要：半导体设备中常用静电吸盘的原理,通过在LABVIEW软件中仿真得出设备最佳运行状态下的相关参数。分析单极和双极静电吸盘的模型建立过程,研究Varian 810离子注入机的六相静电吸盘的原理及其使用中夹持电压、冷却气体等对产品良率的影响,提出生产过程的监控参数。

摘要：近年来,随着沟槽栅软穿通技术的发展,IGBT的性能不断提升。沟槽栅IGBT的动、静态性能与栅结构、载流子存储层、软穿通缓冲层等密切相关。在实际应用中,需根据不同的应用需求如低导通压降、低关断损耗或宽安全工作区性能等,对IGBT的综合性能进行优化设计。本文研究了沟槽栅IGBT的结构设计参数对器件性能的影响,并在此基础上探索了基于低电感应用条件的电动汽车IGBT的参数设计。

摘要：针对压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)内部均流设计,对多芯片压接结构及其压力均衡、压接型IGBT芯片内部均流、子单元间均流等方面进行了研究和优化设计。试验验证了压接型IGBT具有良好的电流关断能力、短路电流能力及反偏安全工作区,器件内部均流状态较好。

摘要：通态损耗及开关损耗的降低是高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)设计与制造的关键。基于"U"形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS^+)元胞结构、增强型受控缓冲层(CPT^+)及横向变掺杂集电极(VLDC)技术、横向变掺杂(VLD)终端结构等关键技术,研发了具有低通态损耗的6 500 V平面栅IGBT芯片及其配套快恢复二极管(FRD)芯片。将IGBT及FRD芯片封装成750 A/6 500 V IGBT模块并对其进行测试、试验,其动、静态特性与安全工作区(SOA)性能优良,满足我国高速动车组、大功率机车等轨道交通牵引的应用要求。

摘要：针对功率模块高可靠性、宽工作温度范围(-60oC^200oC)的应用特点,研制了一种基于全烧结技术的无键合线、无底板、紧凑型平面SiC功率模块,讨论了SiC模块封装设计及低电感柔性PCB互连技术;为了提高功率模块的可靠性及耐高温性能,采用低温银烧结技术替代传统钎焊焊接工艺,所研制功率模块搭载了SiC JFET和SiC SBD芯片组。测试结果表明,所研制的SiC功率模块具有良好的开关性能。

摘要：介绍了SiC MOSFET器件应用所具有的技术优势,并从理想耐压与导通电阻理论入手,确定了漂移层耐压结构的优化设计;综合考量阈值电压、氧化层电场集中和导通电阻特性,确定了芯片元胞各关键区域的优化设计;最后,从导通电阻优化、更高电压等级芯片研制和单片集成续流二极管3方面,阐述了SiC MOSFET芯片未来的技术发展趋势。