摘要：变流器是风电机组的核心部件之一,半导体功率模块是变流器装置的基础,其性能对变流器的性能和可靠性影响很大,是风电机组能否稳定可靠运行的关键因素。文章从风电变流器用IGBT的应用特点角度出发,主要介绍了某国产1 700V/2 400 A IGBT的芯片性能和模块设计情况、各项动态测试情况以及在风电功率组件中的考核情况。动静态测试结果表明,该模块不仅关断尖峰电压低、RBSOA区关断电流能力强,而且能够实现软关断特性与损耗之间的平衡。

摘要：针对连续长隧道内机车整流模块因承受过大热应力,发生热疲劳失效的问题,以HXN5型内燃机车主变流器为例,基于试验测试数据以及Coffin Manson方程,研究了隧道效应对机车整流模块使用寿命的影响。Coffin Manson方程反映了环境温差、循环频率、最高温度等因素对电力电子器件寿命的影响,计算结果与实际情况接近,可以作为电力电子器件热疲劳寿命预测、整流模块设计与维保的参考依据。

摘要：介绍了1 700 V SiC SBD器件的结构设计、制造工艺、静态特性测试及可靠性摸底试验。通过模拟仿真得到了最佳的漂移区结构和器件结构;针对器件制造工艺中的钝化和金属化两项关键工艺进行原理分析和优化;对器件进行了正向和反向静态参数测试,表明器件耐压水平超过1 700 V,正向电流密度为118 A/cm^2;最后对器件进行了可靠性摸底试验,结果显示20只器件均通过了100个循环的温度冲击试验及168 h的高温反偏试验。

摘要：高温可靠性是目前限制SiC MOSFET晶体管高温应用的关键问题之一。本文介绍了基于国内碳化硅器件工艺平台研制的1 200 V SiC MOSFET器件的直流特性,并通过高温栅偏(HTGB)和高温反偏(HTRB)试验对器件高温可靠性进行测试分析。试验结果表明:所研制的1 200 V SiC MOSFET器件在经过168 h的HTGB和HTRB可靠性试验后,所有测试器件的击穿电压>1 200 V,阈值电压偏移量<15%,导通电阻偏移量<15%,显示出优良的器件鲁棒性,也初步证明了国产SiC MOSFET器件的设计、工艺及其研制的可行性。

摘要：文章简要阐述了压接式IGBT模块封装技术原理。为了实现IGBT模块的高度集成,对主功率端子压接工艺对模块阻抗特性、模块并联应用及热性能的影响进行了研究,提出一种IGBT模块主功率端子与衬板压接载流设计方案并介绍了其关键技术。仿真与实验结果验证了主功率端子压接技术在IGBT模块产品开发及应用中的有效性。

摘要：介绍了IGBT模块压接技术的关键技术与难题,提出了IGBT模块压接设计方法,包括功率集成、系统集成、新型功率互连及低阻散热设计。