摘要：为了解决传统功率通路中肖特基二极管导通损耗较大的问题,设计了一款高精度可编程限流双通道理想二极管功率通路,基于0.18μm BiCMOS工艺进行了流片验证.采用了新颖的自适应电源选通控制电路,避免PMOS功率管的寄生体二极管导通的风险,并使PMOS功率管导通阻抗仅为40 mΩ.芯片实测结果表明:单个理想二极管功率通路在4 A电流条件下,-40°~125°温度范围内传输效率达到92%以上;而且电路内部集成了高精度可编程限流保护电路,单个通道实现了0.15~4 A范围内限流阈值调节.

摘要：绝缘体上硅(Silicon on insulator,SOI)技术在200~400℃高温器件和集成电路方面有着广泛的应用前景,但对于沟道长度≤0.18μm的短沟道器件在200℃以上的高温下阈值电压漂移量达40%以上,漏电流达μA级,无法满足电路设计要求。本文研究了基于0.15μm SOI工艺的1.5 V MOS器件电特性在高温下的退化机理和抑制方法,通过增加栅氧厚度、降低阱浓度、调整轻掺杂漏离子注入工艺等优化方法,实现了一种性能良好的短沟道高温SOI CMOS器件,在25~250℃温度范围内,该器件阈值电压漂移量<30%,饱和电流漂移量<15%,漏电流<1 nA/μm。此外采用仿真的方法分析了器件在高温下的漏区电势和电场的变化规律,将栅诱导漏极泄漏电流效应与器件高温漏电流关联起来,从而定性地解释了SOI短沟道器件高温漏电流退化的机理。

摘要：H型栅NMOS器件因其强抗辐照和低功耗等优势已逐渐成为PDSOI电路设计中的核心器件。但H型栅NMOS器件的Ids-Vds曲线会在漏极电压较高时发生明显的翘曲现象,称为Kink效应。该效应严重影响一定工作条件下的电路性能和稳定性。为此,依据实测和TCAD仿真数据,分析了H型栅NMOS器件发生Kink效应的机理,并且基于0.15μm SOI工艺,进一步量化分析了顶层硅膜厚度、阱浓度、栅尺寸、温度以及总剂量辐照等方面对Kink效应的影响。最终结果表明,高漏极电压下NMOS器件体区积累大量空穴导致寄生NPN三极管开启,从而引发了Kink效应。本工作完善了H型栅NMOS器件Kink效应的研究,为PDSOI电路设计中抑制Kink效应提供了有益的参考。

摘要：物理不可克隆函数(PUF)是芯片制造过程中随机偏差形成的唯一和不可复制的物理指纹,使用这个特征可以鉴别各个芯片,然而PUF芯片因环境变化会影响输出,导致在认证应用时可能失败。介绍了模糊提取器的密钥提取方法,通过在静态随机存取存储器(SRAM)-PUF芯片中加入里德-所罗门(RS)硬解码,在认证系统中加入BCH软解码模块,纠正PUF在一定范围内变化来确保通过认证,并对SRAM-PUF电路在三温下进行实验分析。实验结果表明,SRAM-PUF电路的PUF点分布有较好的均衡性,在常温时可靠性接近100%,在低温条件下可靠性范围为98.84%~100%,在高温条件下,可靠性范围为97.77%~99%,当RS码和BCH码设计的纠错能力大于PUF可靠性时能够通过认证。

摘要：由于大容量FLASH存储器全地址功能测试时间较长,在自动化测试设备(ATE)上进行高低温测试时,长时间使用热流罩会导致测试设备运行异常。为把存储器测试过程中耗时最长的全地址功能测试部分从ATE机台上分离出来,设计一个基于FPGA的驱动板卡,结合MSCAN和Checkerboard算法实现了对被测芯片激励信号的施加;然后,设计一个12工位的驱动板卡,实现了在三温条件下的多芯片同步测试;接着,设计一个基于Qt的上位机软件,实现了对测试结果的实时显示与存储;最后,对2 GB大容量FLASH存储器进行测试验证。测试结果表明,与传统的ATE测试相比,基于驱动板和工位板的测试系统可实现对大容量FLASH的全地址功能的高低温测试,且工位板具有的高可扩展性可实现多芯片的同步测试,大幅提高了测试效率。

摘要：有源箝位正激变换器因为开关管的软开关控制,可以降低高频下的开关损耗,已是中型功率隔离变换器实现高效率、高功率密度的主流解决方案。文中基于有源箝位正激变换器设计一款输入28 V、输出3.3 V/30 A的电源样机,开关频率为700 kHz,原边主开关管采用低栅极电荷、低输出电容、零反向恢复损耗的氮化镓(GaN)器件,再结合平面变压器技术及次级同步整流(SR)技术,使样机峰值效率达到95.13%。最后通过对样机测试结果分析来验证方案的高效率和高功率密度。

摘要：基于快速连续跳频和超宽带射频收发电路的应用,设计了一种快速连续跳频的超宽带多功能频综模块,可实现0.1~9.8 GHz工作频段的快速连续或非连续跳频功能,以及FDD、TDD收发电路中上下变频的处理。采用“乒乓”锁相环(PLL)作为整体架构,结合多路复用开关(MUX)实现快速跳频功能,并产生收发电路所需的本振信号。最终实现适用于通信、雷达无线电跳频、软件无线电、干扰抗扰等相关领域的频综模块。结果表明,6 GHz相位噪声不大于-110 dBc/Hz@100 kHz,快速连续跳频可达至少30 000跳/s,具有优良的时钟性能。

摘要：针对FPGA内部的LUT资源覆盖测试,提出一种新型BIST的测试方法。通过改进的LFSR实现了全地址的伪随机向量输入,利用构造的黄金模块电路与被测模块进行输出比较,实现对被测模块功能的快速测试,并在Vivado 2018.3中完成了仿真测试。通过ATE测试平台,加载设计的BIST测试向量,验证结果与仿真完全一致,仅2次配置即可实现LUT的100%覆盖率测试。此外,还构建了LUT故障注入模拟电路,人为控制被测模块的输入故障,通过新型BIST的测试方法有效诊断出被测模块功能异常,实现了准确识别。以上结果表明,该方法不仅降低了测试配置次数,而且能够准确识别LUT功能故障,适用于大规模量产测试。

摘要：本文设计了基于GD32F407的全国产化的电机驱动系统,该系统是定位定向导航系统应用中转位装置的重要组成部分,需要搭配转台使用,其主要功能是实现角位置传感器即旋转变压器激磁信号激励的产生,使用专用的调制解调位置信息芯片实现对电机旋转位置的精确判断,使用单片机实现信号处理、调制解调位置信息处理以及控制电机驱动芯片WSA67驱动电机完成转台的定向定量转位,转位过程中实现转台的稳速控制,同时通过隔离的串行接口完成与转台系统的数据传输等功能。

摘要：随着嵌入式处理器性能的不断提升,传统的并行总线互联方案已不能满足日益增长的带宽需求。RapidIO技术缓解了传统互联总线性能缓慢增长和处理器性能高速发展之间的矛盾,同时,片上网络也已成为多核体系结构中最常用的互联结构。为了实现两者之间的数据交互,设计了一种面向RapidIO控制器与片上网络的转换接口,可实现RapidIO控制器的AXI协议到片上网络内部包传输的转换,满足RapidIO设备读/写操作的需求。仿真结果表明,转换接口功能正确、完整,符合设计要求。