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检索条件"机构=昆山双桥传感器研究所"

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几种高温高频压力传感器的研制与开发: 收藏
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引用; 《测试技术学报》2002年第z1期16卷 413-416页; 作者：王文襄王晋林李水霞张文钊昆山双桥传感器研究所昆山周庄215325 昆山双桥传感器研究所昆山周庄215325 昆山双桥传感器研究所昆山周庄215325 昆山双桥传感器研究所昆山周庄215325; 本文介绍了几种在高温工况下使用的动态压力传感器的设计、研制与开发,它们都是采用基于MEMS技术的SOI技术制作的,低至零频,高至数百赫兹的宽的动态频响使它们在兵工测试领域有着良好的应用前景,可望解决一些传统传感器难以解决的问题.; 本文介绍了几种在高温工况下使用的动态压力传感器的设计、研制与开发,它们都是采用基于MEMS技术的SOI技术制作的,低至零频,高至数百赫兹的宽的动态频响使它们在兵工测试领域有着良好的应用前景,可望解决一些传统传感器难以解决的问题.; 来源：详细信息评论

基于SIMOX的耐高温压力传感器芯片制作: 收藏
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引用; 《Journal of Semiconductors》2005年第8期26卷 1595-1598页; 作者：王权丁建宁王文襄熊斌江苏大学微纳米科学技术研究中心镇江212013 昆山双桥传感器测试技术有限公司苏州215325 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050; 针对石油化工等领域中高温下较高压力测量的要求，设计了压阻式压力传感器敏感芯片，采用SIMOX技术的SOI晶片，在微加工平台上通过低压化学气相淀积法（LPCVD）均相外延硅测量层、浓硼离子注入、热氧化、光刻、电感耦合等离子体（ICP）...; 针对石油化工等领域中高温下较高压力测量的要求，设计了压阻式压力传感器敏感芯片，采用SIMOX技术的SOI晶片，在微加工平台上通过低压化学气相淀积法（LPCVD）均相外延硅测量层、浓硼离子注入、热氧化、光刻、电感耦合等离子体（ICP）深刻蚀、多层合金化等工艺流程制作了该芯片，将其封装后，研制出了高精度稳定性佳的耐高温压阻式压力传感器．封装工艺进一步改善后，该芯片工作温区有望拓宽到300～350℃．; 来源：详细信息评论

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