摘要：简单介绍并回顾了磁流变液及器件的物理原理及发展历史 ,介绍并分析了四种商用磁流变液的成分及其流变特性、磁性能、润滑、沉淀及材料相容性和磁流变液品质因素等性能 ,并在传统设计范例的基础上 ,将这些流体用一些合适的特性图进行了对比 ,讨论了几种磁流变液在重载卡车座位支撑、建筑业的振动控制以及低密封振动阻尼器等领域的应用 ,同时展望了磁流变液的应用前景。

摘要：研究了加工方法对Ta组织及织构的影响,采用径向模压(自行设计的模具)+轴向镦粗的方法,经过2个循环的变形,在真空下1100℃退火1h,取样观察了钽的微观组织、晶粒度;研究了轧制方式对钽组织均匀性的影响,采用一次交叉轧制的方法,道次加工率为5%～10%,总变形量为70%,真空退火1200℃。经EBSD测定了不同状态下钽的织构。结果表明:模压和轧制方法对钽的力学性能和晶粒大小有重要影响,一次交叉轧制可以更有效地减小钽的各向异性并获得细晶粒,平均晶粒度为30μm。采用模压更有利于退火态钽板中{111}织构的增强,并减少{100}。

摘要：通过对含Nb钛合金进行成分优选 ,设计出 4种具有较低弹性模量的新型Ti Nb X系钛合金 ,并对 4种新型钛合金的组织与性能进行了研究。研究结果表明 ,4种新成分钛合金的弹性模量均低于 80GPa ,符合设计要求。4种合金的组织均匀 ,组织类型为等轴组织。个别晶粒中存在一定的孪晶与合金加工变形过程有关。此类合金在医学外科植入物、眼镜架用材、运动器材等领域有推广价值。

摘要：通过对人体胸主动脉生理结构特点及性能分析,经过编织、500℃热处理、缝制等工艺研制完成一种新型微创介入治疗用TiNi形状记忆合金胸主动脉支架,该支架由记忆合金丝和人造血管组成,呈渐细、无梁结构。利用电子万能实验机测量支架丝材力学性能和径向支撑力,DSC测量支架恢复温度,临床医生对支架的结构设计进行了验证。研究结果表明,该支架形状完全恢复的温度为(25.9±3)℃,径向支撑力在6～8N之间,无梁渐细结构能大大降低医生的操作难度,具有更好的柔韧性和均匀弹性膨胀性,更加符合人体胸主动脉生理结构特点,在临床上取得良好的试验效果。

摘要：随着半导体技术的发展,芯片特征尺寸缩小到深亚微米和纳米时,铜互连技术在集成电路的设计和制造中成为主流技术,从而对高纯铜靶材的要求越来越高。从靶材制造的角度利用材料学的知识对铜靶材的晶体结构、纯度、致密度、微观组织及焊接性能等方面作了分析,并且较全面地分析了可能影响靶材溅射性能的很多关键因素,从而为靶材供应商和集成电路制造商对于铜靶材的了解搭建了桥梁,为进一步开发超大尺寸的高纯铜靶材打下基础。

摘要：介绍了阻尼冷却管法制备A356铝合金半固态浆料工艺的实验装置及其原理,并进行不同浇注温度的系列实验。结果表明:由于阻尼冷凝管的冷却和搅拌作用,熔体浇注温度越低,在两相温度区间内生成的游离晶核就越多,制备得到半固态铸件的晶粒尺寸就越小,且球化程度越高。在此实验原理及结果分析的基础上,设计真空吸铸-阻尼冷却装置,近液相线温度的AZ91D镁合金液在冷却、剪切的作用下,由液态转变为半固态浆料,然后进入模具完成充型,实现镁合金半固态浆料的制备与铸件流变成形一体化;半固态镁合金熔体具有触变性及更高的黏度,以平稳、层流的充型方式完成充型,能够有效地改善成形件的质量。

摘要：集成电路制造用溅射靶材的绑定技术,又称焊接或粘接技术,是溅射机台设计和制造工程师、溅射靶材开发生产工程师、以及集成电路制造工艺和设备工程师共同关心的问题,通过对比研究机械连接、钎焊、胶粘结、扩散焊、电子束焊和爆炸焊的应用条件和优缺点,增进溅射靶材设计、生产和使用相关工程师对靶材绑定技术的交流和认识。

摘要：对NiTi形状记忆合金在冷轧变形后的不完全相变特征进行了研究。通过设计试样原始表面形状的方法,将具有不同位错密度的宏观区域引入形状记忆合金内部,使整个材料获得了复合材料的特征。结果表明,由于位错织构和马氏体变体界面的作用,使逆转变温度扩展到一个较大的温度范围,这将会进一步增加温度记忆效应的潜在应用价值。

摘要：随着半导体技术的发展,铜互联技术在集成电路的设计和制造中成为主流技术,铜互连采用双大马士革工艺(Dual Damascene)进行电镀。集成电路用磷铜阳极在电镀过程中起着至关重要的作用,本文系统分析了磷铜阳极中磷的含量、铜的纯度、晶粒尺寸和氧含量等对集成电路电镀性能的影响。