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检索条件"机构=杭州半导体厂"

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大电流光激可控硅的设计制造及应用: 收藏
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引用; 《半导体技术》1994年第1期10卷 16-21页; 作者：阮震翔杭州半导体厂; 本文给出了大电流光激可控硅的设计考虑，特别对光激可控硅的正、反向阻断电压和α＿（ｎｐｎ）、α＿（ｐｎｐ）的关系，以及光触发开启灵敏度和ｄＶ／ｄｔ、ｄＩ／ｄｔ耐量的解决办法作了较为详细的论述。同时还介绍了３安培光激可控...; 本文给出了大电流光激可控硅的设计考虑，特别对光激可控硅的正、反向阻断电压和α＿（ｎｐｎ）、α＿（ｐｎｐ）的关系，以及光触发开启灵敏度和ｄＶ／ｄｔ、ｄＩ／ｄｔ耐量的解决办法作了较为详细的论述。同时还介绍了３安培光激可控硅的制造方法，以及在光敏固态继电器（ＳＳＲ）上的应用。; 来源：详细信息评论

电老化和老化台的设计要点: 收藏
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引用; 《半导体技术》1998年第1期23卷 58-60页; 作者：施式凡杭州半导体厂; 介绍电老化的作用，大功率老化台线路设计和分析比较，老化台的冷却系统和各种保护系统，以及现用老化台中一些易被忽视的问题。; 介绍电老化的作用，大功率老化台线路设计和分析比较，老化台的冷却系统和各种保护系统，以及现用老化台中一些易被忽视的问题。; 来源：详细信息评论

状态分配规则及多余态分配技术: 收藏
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引用; 《杭州电子工业学院学报》1995年第2期15卷 42-50页; 作者：蒋保纬韩惠雯杭州大学杭州半导体厂; 本文全面分析了时序电路设计中的4个状态分配规则，并进一步提出了多余态的分配技术。设计实例表明，有关的规则及多余态分配技术均是有效的。; 本文全面分析了时序电路设计中的4个状态分配规则，并进一步提出了多余态的分配技术。设计实例表明，有关的规则及多余态分配技术均是有效的。; 来源：详细信息评论

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