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基于亚阈值区的CMOS带隙基准电压源设计: 收藏
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引用; 《电子产品世界》2024年第2期31卷 19-23页; 作者：郭俊郭小平詹国斌叶晨宇湖州职业技术学院信息工程与物联网学院浙江湖州313000 杭州昀至科技有限公司浙江杭州311215 杭州朗迅科技股份有限公司浙江杭州310052; 基准源是芯片的重要组成模块之一,其性能优劣直接影响整个电子系统运行的稳定性。带隙基准源的核心思想是利用正温度和负温度系数电路叠加,以产生不随温度变化的电路结构。利用晶体管在亚阈值工作区间内的电压电流特性,提出一种互补金...; 基准源是芯片的重要组成模块之一,其性能优劣直接影响整个电子系统运行的稳定性。带隙基准源的核心思想是利用正温度和负温度系数电路叠加,以产生不随温度变化的电路结构。利用晶体管在亚阈值工作区间内的电压电流特性,提出一种互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)带隙基准电压源结构,从而消除了传统经典电源中对双极结型晶体管(bipolar junction transistor,BJT)工艺的依赖。此外,在低温段和高温段分别增加二阶补偿电路。仿真结果表明,在Cadence软件的台积电65 nm工艺下,提出的基准源成功实现了温度补偿,并在较宽的温度范围内具有较低的温漂系数。; 来源：详细信息评论

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