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检索条件"机构=杭州电子工业学院微电子CAE研究所"
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GaAs MESFET大信号瞬态模拟
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《Journal of Semiconductors》1994年 第11期15卷 741-746页
作者:邓先灿 冯春阳 孙国恩 骆建军杭州电子工业学院微电子CAE研究所 
本文采用了大信号瞬态分析方法,从砷化镓(GaAs)材料参数和器件几何参数出发,通过求解Poission方程和连续性方程,模拟出FET器件端口特性,得到了大小信号器件模型不同的定量依据,并在此基础上提取出了FET非线性...
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GaAs MESFET大信号S参数仿真
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《微波学报》1993年 第4期9卷 42-47页
作者:骆建军 邓先灿 孙国恩杭州电子工业学院微电子CAE研究所 
本文从砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAsMESFET)大信号模型出发,采用谐波平衡法书出稳态解,获得了大信号S参数。开发的软件可同时获得大小信号S参数,并在同一Smith圆图上显示出来,也可进行增益压缩等特性的分析。该软件已和参数提...
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砷化镓超高速集成电路布线设计——基于门阵的宏元胞方式
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微电子学与计算机》1999年 第3期16卷 50-53页
作者:李昆仑 郭裕顺 赵国南杭州电子工业学院微电子CAE研究所 
文章研究了在GaAs工艺、双层金属布线、基于门阵的宏元胞模式下,采用时间驱动算法布局设计(TimingDrivenPlacement)的布线算法。算法以芯片性能得到最大限度的改善,包括芯片关键路径时延最短、互连线总长...
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一种微带线色散模型的实现及其应用
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杭州电子工业学院学报》2002年 第3期22卷 45-48页
作者:楼向雄 邓先灿杭州电子工业学院微电子CAE研究所浙江杭州310037 
针对微波电路CAD的要求 ,基于对微带线色散特性解析模型的研究 ,实现了一种适用范围广、精度高的微带线色散模块LDM。用此模块计算的微带线的相关数据 ,在 0 .5 - 30GHz很宽的频率范围内与实际相符 ,将本模块结合到微波电路CAD软件HFM -...
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高亮度显示屏VFD的驱动芯片VF202及其应用
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杭州电子工业学院学报》2002年 第3期22卷 49-53页
作者:樊凌雁 周建国 邓先灿杭州电子工业学院微电子CAE研究所浙江杭州310037 
VF2 0 2是深圳矽谷电子系统有限公司生产的高亮度真空荧光显示屏 (VFD)驱动芯片 ,该芯片具有 40个高耐压的输出端口 ,采用串行接口 ,可单独和级联使用 ,功能强大 ,控制简单。介绍了VF2 0 2的内部框图和功能 ,阐述了它的基本工作原理 ,...
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一个可重利用、低功耗RISC CPUIP核的设计
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《固体电子研究与进展》2004年 第4期24卷 450-454页
作者:楼向雄 骆建军 程思琪浙江大学信息与电子工程学系 Baleen System Inc.20823 Stevens Creek Blvd.#110 Cupertino CA 95014 USA 杭州电子工业学院微电子CAE研究所 
研究设计了一个可重利用、低功耗的精简指令计算机 (RISC)中央处理器的知识产权 (IntellectualProper ty)核。该RISCCPUIP核采用单时钟周期、两级流水线、哈佛总线结构。在相同处理速度下 ,其功耗降低至传统PICCPU功耗的约 1/ 4。设计...
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GPRS手机芯片中增强型通用定时器的设计
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微电子学》2004年 第1期34卷 88-90页
作者:骆建军 楼向雄 赵书鹏 邓先灿东方通信股份有限公司网络通信研究所浙江杭州310013 浙江大学信息与电子工程学系浙江杭州310027 杭州电子工业学院微电子CAE研究所浙江杭州310037 
 介绍了一种增强型通用计数器。它除了具有通用定时器的功能以外,还可以实现输出中断和信号控制,以及选择确定输入信号出现的时间。对于频繁的定时输出,更是可以用模锁存器控制产生定时中断输出。该设计已用于2.5代手机基带芯片中(芯...
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