摘要：基于SMIC 55 nm CMOS工艺,设计了一款面向毫米波FMCW雷达频率源的四倍频器。该四倍频器由相同拓扑结构的二倍频级联构成,二倍频核心采用Push-Push结构实现,采用磁耦合谐振器(MCR)实现输入阻抗匹配,同时实现单端转差分和抑制谐波的功能;论文同时提出了一种谐波抑制结构,运用带通结构结合MCR完成级间匹配和输出功率匹配,满足抑制谐波和较高输出功率的要求。设计结果表明,在60~64 GHz输出频率内,四倍频器饱和输出功率为2.2 dBm,谐波抑制度大于35 dBc,直流功耗59 mW。该四倍频器在满足宽倍频器程的前提下,具有高谐波抑制度和高输出功率的特点,可用于毫米波雷达系统中的频率源产生电路。

摘要：基于中国电子科技集团公司第五十八研究所的晶圆级封装工艺及其工艺设计套件(PDK),完成了多款通带范围在20~68 GHz的5阶微带发夹型滤波器的设计和优化。首先,根据平行耦合滤波器的基础理论,计算发夹型滤波器的特征尺寸;其次,调用PDK中的衬底和元件模型实现滤波器的快速建模和参数优化;最后,采用多层再布线工艺对设计出的发夹型滤波器进行加工。实测结果和仿真结果具有较高的一致性,验证了该款晶圆级封装PDK的应用价值,能够为无源滤波器集成设计提供新的工具选择。

摘要：针对F类功放并根据可重构理论,文中设计了一种基于PIN开关的新型谐波控制网络。该谐波控制网络主要通过调节PIN开关工作状态来实现不同频率下多项谐波分量的控制,以此来提高功放的整体效率。基于此新型谐波控制网络,采用CREE公司的CGH40010F GaN HEMT晶体管设计了一款工作在1.75 GHz和2.45 GHz的F类可重构功率放大器,并进行了加工测试。实测结果表明,在1.75 GHz和2.45 GHz工作频率下,饱和输出功率大于40.5 dBm,最大漏极效率大于69%,增益高于10.3 dB,带宽大于200 MHz。

摘要：基于发夹式微带带通滤波器提出了一种3.5 GHz频率的小型化功率放大器。采用将级联耦合微带线进行“U”型化处理来缩小输出匹配电路尺寸,可直接匹配至50Ω负载,无需设计基波匹配网络。该滤波器是基于三阶Chebyshev低通原型滤波器参量,奇偶模阻抗分析用于计算滤波器参数,且具有高选择性带内响应和强带外抑制能力。实测结果显示,在3.2~3.7 GHz频段内,饱和输出功率高达41.2 dBm,饱和漏极效率在50.2%~61%,增益大于10 dB。

摘要：该文提出了一种基于改进简化实频算法的跨多倍频超宽带功率放大器。结合负载牵引技术,分析晶体管负载端的最优阻抗值变化。通过改进简化实频法中的优化目标和误差函数,对频段内选取多个频点的最优阻抗进行分析,设计并优化出了功率放大器的输出匹配电路,提高了功放的工作带宽。测试结果显示,在0.5~2.7 GHz频段内,饱和输出功率达到42.5 dBm,饱和漏极效率为64%~75%。

摘要：忆感器是在忆阻器基础上定义的一种新型记忆电路元件.在实际忆感器尚未实现的情况下,为探索忆感器及其在非线性电路中的特性,提出了一种忆感器数学模型和电路模型.基于该模型设计了一个非线性振荡电路,采用理论分析、仿真分析和实验验证的方法研究了忆感器模型的特性及其在电路中的动力学规律.分岔分析表明,在适当的参数下忆感器会使电路产生周期和混沌振荡.设计了实现忆感器模型及其振荡器的模拟电路,实验验证了忆感器模型和振荡器的特性,实验结果与理论分析完全一致.

摘要：当集成电路技术进入到纳米尺度,金属栅极上分布的晶粒显著减少,功函数变异(WFV)对MOSFET器件和电路性能产生重要的影响.文中通过偏差反向传播(POV)方法将功函数变异解析为平带电压标准差,建立22nm NMOS器件模拟/射频性能的统计分析,这些性能参数包括栅电容、跨导、截止频率和跨导效率.经HSPICE仿真分析结果表明:上述参数均受WFV影响产生随机波动现象,且参数变化相对标准偏差对栅电压非常敏感;从统计分布看,模拟/射频性能参数受WFV影响均偏离正态分布,但其概率统计特性却各有差异.

摘要：随着CMOS技术进入纳米工艺,随机栅长变化成为影响集成电路性能和成品率最重要因素之一.文中分析并验证了纳米MOS器件随机栅长变化导致电流增益因子与阈值电压的之间的相关性及失配解析关系式,并以此为基础,结合偏差传递理论实现了22 nm工艺MOSFET电流失配模型.仿真实验结果表明,该模型揭示了短沟道效应导致的器件阈值电压变化改变了载流子有效迁移率,进而影响电流增益因子及器件电流的规律,精确地估计了随机栅长变化导致的电气参数统计变化特性.

摘要：对新型复合沟道AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)进行了优化设计.从半导体能带理论与量子阱理论出发,自洽求解了器件层结构参数对器件导带能级以及二维电子气(2DEG)中载流子浓度和横向电场的影响.用TCAD软件仿真得到了器件的层结构参数对器件性能的影响.结合理论分析和仿真结果确定了器件的最佳外延层结构Al0.31Ga0.69N/Al0.04Ga0.96N/GaNHEMT.对栅长1μm,栅宽100μm的器件仿真表明,器件的最大跨导为300mS/mm,且在栅极电压-2—1V的宽范围内跨导变化很小,表明器件具有较好的线性度;器件的最大电流密度为1300mA/mm,特征频率为11.5GHz,最大振荡频率为32.5GHz.

摘要：基于0.25μm GaAs pHEMT工艺,设计了一款工作频率为0.1 GHz~8.0 GHz的超宽带低噪声放大器,采用单级共源共栅(cascode)结构,使用电阻并联负反馈扩展了低噪声放大器的带宽,并且采用电感中和技术补偿了高频增益与提高频率响应。仿真结果表明:该款低噪声放大器的分数带宽高达195%,噪声系数小于1.32 dB,最高增益为21.2 dB,1 dB压缩点为16 dBm。在砷镓化合物工艺设计的低噪放中,本文拥有195%的分数带宽,较高的增益和较低的噪声系数。