摘要：介绍了SiC MOSFET器件应用所具有的技术优势,并从理想耐压与导通电阻理论入手,确定了漂移层耐压结构的优化设计;综合考量阈值电压、氧化层电场集中和导通电阻特性,确定了芯片元胞各关键区域的优化设计;最后,从导通电阻优化、更高电压等级芯片研制和单片集成续流二极管3方面,阐述了SiC MOSFET芯片未来的技术发展趋势。

摘要：针对传统粮仓智能人工监测温湿度,且对粮食害虫隐患缺乏有效的监控手段问题,本文基于ZigBee传输,采用MSP430单片机平台完成了一款智能多参数粮仓监测系统的设计。该系统采集粮仓温湿度,以光诱捕害虫并计数,将采集的数据送至MSP430处理后,由ZigBee无线传输至服务器以对粮仓环境进行实时监控。节省了人力、实现了低功耗设计并确保粮食储存安全,经过实验测试,该系统符合设计要求,监控效率明显提高,具有较好的应用价值。

摘要：随着工业技术的发展和单片机技术的大幅提升,纸张装袋靠简单的人工计算数量的时代已经成为过去,但是测试装置的精度暂时还达不到很高程度,文中设计以STM32F103ZET6为控制核心,电路分为主控模块、电源模块、振荡频率产生模块、显示模块和蜂鸣器模块等。利用两个极板在介质为空气和水的均介质中调整极板间距离使电容呈现规律的特点,再采用NE555多谐振荡电路结合不同电容量通过单片机对频率进行测量,此外两块极板粘在两块压克力板上并且用螺杆固定方位,大大提高了精度。

摘要：功率组件是风电变流器的核心构成部件,其性能及可靠性直接影响变流器的整体性能及可靠性。文章对风电变流器中IGBT功率组件的电路拓扑结构、关键器件选型、驱动技术、散热技术等关键技术及其未来的发展趋势进行研究与阐述,为风电变流器中功率组件的设计、选型与技术研究提供参考依据。

摘要：IGBT模块失效的原因错综复杂,封装退化是因素之一。为剔除应用工况类因素干扰,采用更严苛的热循环试验,建立模块失效和封装退化的关联,结果分析发现,封装会出现焊层分层、母排脱附及铝线脱离等退化现象,继而导致模块失效。结合材料力学理论,得出材料选型和结构设计的原则;同时分析了工艺质量水平对封装退化的影响,并从基板焊层及拱度、金属间化合物形貌、功率端子焊接、键合技术等方面提出针对性改进措施。

摘要：针对功率模块高可靠性、宽工作温度范围(-60oC^200oC)的应用特点,研制了一种基于全烧结技术的无键合线、无底板、紧凑型平面SiC功率模块,讨论了SiC模块封装设计及低电感柔性PCB互连技术;为了提高功率模块的可靠性及耐高温性能,采用低温银烧结技术替代传统钎焊焊接工艺,所研制功率模块搭载了SiC JFET和SiC SBD芯片组。测试结果表明,所研制的SiC功率模块具有良好的开关性能。

摘要：针对DSP控制器接口有限、代码复杂等问题,文章基于"DSP Builder+FPGA"提出了一种功率组件考核试验用SPWM控制器的设计方法;针对FPGA的资源利用率不好把握和程序编译时间长等缺点,通过采用Quartus软件资源分析工具来确定芯片资源、将关键参数开放在上位机上的方式来解决。该方法具有开发周期短、调试简单等优点,功率组件考核试验证明了其可行性。

摘要：为了实现1 200 V混合SiC功率模块的低感封装,文章介绍通过芯片优选和芯片优化布局设计、采用低感母排取代键合铝线的跨接等措施,将功率模块的寄生电感减小到16 n H,有效降低了模块的峰值电流和振荡时长,缓解了混合SiC功率模块的电流振荡并降低了模块的开通损耗。将该低感封装设计的模块应用于30 k W光伏逆变器中,光伏逆变器的转化效率可提高至97.95%。

摘要：随着全球对能源问题的关注与研究,未来电动汽车取代汽油车已成为必然,电动汽车也得到了越来越多的关注,各国从国家战略层面推出了电动汽车实施计划。但是当前电动汽车的实用过程中,存在两个主要问题:一是电池的续航问题,包括电池荷电状态的实时监控;二是充电基础装置的普及问题。文中针对电动汽车电池管理系统存在的问题,分析了电池荷电状态的影响因子,通过建立神经网络算法和训练,进行了动力电池的充放电实验,通过实验验证,能准确测量电池的实时参数,实现了电动汽车荷电状态的实时准确估算。

摘要：在高压晶闸管器件的硅片参数设计时,制造过程中不同扩散工艺形成PN结的平坦性是重点考虑的因素之一。为了获得更优良的高压快速晶闸管器件动静态特性,文章从制造工艺入手,首先探讨了真空铝预沉积和闭管铝扩散工艺形成PN结的平坦性差异,然后通过理论计算与Silvaco仿真验证,得出了同一硅片厚度下器件转折电压随结深的变化关系,并基于PN结平坦性的考虑设计了两种工艺条件下的最小化硅片厚度。试验结果表明,采用真空铝预沉积工艺及与之对应的最佳硅片参数所研制的器件性能优化明显。