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100Im/W照明用LED大功率芯片的产业化研究: 收藏
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引用; 《现代显示》2010年第5期 196-200页; 作者：董志江靳彩霞杨新民艾常涛何建波易贤李鸿建武汉迪源光电科技有限公司湖北武汉430074; 本研究基于蓝宝石图形衬底(PSS)制备GaN基40mil功率型LED芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了LED器件的光电性能。制备的LED外延片波长集中在6nm范围内,半峰宽接近20nm,LED功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01mA下有良...; 本研究基于蓝宝石图形衬底(PSS)制备GaN基40mil功率型LED芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了LED器件的光电性能。制备的LED外延片波长集中在6nm范围内,半峰宽接近20nm,LED功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01mA下有良好的点亮效果,没有暗区,器件在350mA下发光效率达104 lm/W,并能够满足3W的应用市场,此外,器件具有良好的可靠性和稳定性,350mA和700mA下老化1,000hr光衰分别为-0.4%和2.8%,并成功解决了产业化的关键技术。; 来源：详细信息评论

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