摘要：用自适应脉冲微扰方法控制的系统的某个系统变量作为驱动,设计了一种自适应控制器方法对两个或多个响应混沌系统进行脉冲微扰,引导这些系统从混沌运动到低周期运动,实现同时控制多个混沌系统到不同的周期态.当选择相同的自适应控制器输入变量实施脉冲微扰时,还可控制两个或多个混沌系统达到不同的周期态同步.通过对Rssler混沌系统的仿真研究证实了方法的有效性.

摘要：运用图论、矩阵分析和极限理论,研究当通信拓扑结构连通的多智能体系统受到干预时,系统仍保持一致性的充分条件及其平衡状态.利用指数函数快速递减且可积的特性,设计干预控制器,控制多智能体系统收敛到指定位置.仿真研究实验验证了所提出结论的正确性.

摘要：针对拓扑结构无向连通的多智能体系统受到干预的问题,运用图论,矩阵论及极限理论,分析了系统状态保持一致性的条件,并得到了系统的平衡状态.设计了干预控制器,引导系统向任意指定地点聚集.给出了多智能体系统一致追踪移动目标的一致追踪算法.最后仿真研究实验说明了本文结论的正确性.

摘要：考虑到在印刷过程中存在栅线展宽效应,通过理论与实验分析一次印刷和二次叠印过程中栅线展宽对栅极线宽和线高的限制和导致电池片的电极电阻和填充因子的变化,建立栅极电阻和填充因子理论模型。研究表明,丝网二次叠印电池片的填充因子比丝网一次印刷的填充因子小1%,但其短路电流密度比一次印刷高0.33 mA/cm2,开路电压比一次印刷高1.1 mV,最终晶体硅太阳电池片的转换效率比一次印刷提高0.391%。提出采用设计印刷线宽消除因叠印栅线展宽而产生的填充因子减小,以获得更高的硅太阳电池转换效率,并建立实际印刷线宽半经验模型。

摘要：针对网络连接下具有非线性项的多智能体的一致性问题,提出了一种事件驱动控制方案.通过考虑网络拓扑结构为固定的情形,设计了基于事件驱动的一致性协议,并给出多智能体一致性的充分条件.利用李亚普诺夫稳定性理论,实现了网络中的非线性多智能体趋向于所给定的目标状态.同时把相应的理论结果推广到具有切换拓扑结构的网络情形.仿真结果验证了方法的有效性.

摘要：为了实现紧凑结构下光的主动调控,设计了一种基于表面等离激元解复用器结构的双通道全光开关。该器件由金属-克尔非线性材料-金属的波导结构和谐振腔组成,具有主动光控功能。通过对该开光结构进行优化,实现了735 nm抽运光调控1310 nm信号光。该信号光在左右两个端口可实现输出与截止,消光比可达到29.4 d B,开关响应时间可达到50 fs。该双通道开关具有结构简单紧凑、易于集成、响应速度快等优点,将在纳米集成光学中具有重要的应用价值。

摘要：研究二维分布参数系统在传感器执行器网络下的控制问题.传感器执行器网络由二维平面上固定的传感器与移动的执行器组成.首先,利用传感器对二维分布参数系统的测量信息设计观测器,用来估计二维分布参数系统的状态,并在观测器的基础上给出相应的控制器;然后,利用算子半群理论并结合Lyapunov方法,得到平面上移动的执行器的水平运动速度和垂直运动速度,该速度依赖于观测器的信息;最后,数值仿真表明,二维分布参数系统在该移动执行器控制下的性能得到了有效的提高.

摘要：针对多智能体系统的群一致性问题,提出了基于事件触发脉冲控制协议.考虑到系统网络的分群结构,在模型中引入一个非零投影参数,该参数的不同特殊取值可以涵盖多智能体系统完全一致性和竞争与合作分群一致性等情形.协议为不同的群设计了相应的事件触发函数,每个群的智能体只有在相关状态误差超过阈值时,才会更新控制器,控制输入也仅在事件触发脉冲时刻执行,智能体之间不需要持续通信.利用代数图论、李亚普诺夫稳定性和脉冲微分方程理论方法,分析给出多智能体系统在事件触发脉冲协议下达到群一致性的充分条件,且理论证明不存在芝诺现象.最后,数值仿真验证了理论结果的有效性.

摘要：微纳光纤具有大比例倏逝场传输的光学特性,相比于普通光纤,其耦合现象更加明显。利用基于有限元法的COMSOL Multiphysics软件对三根平行微纳光纤进行了详细的数值模拟研究。计算结果表明,纤芯间距改变时,三根平行微纳光纤随传输距离变化的功率耦合分布的规律是相似的,都呈周期性分布。纤芯间距不同时,耦合周期发生变化,且随着纤芯间距的增大,耦合周期也逐渐增大。且入射光的偏振态对耦合周期和耦合效率也有一定的影响。利用三根平行微纳光纤的耦合特性,设计了一种3×1微纳光纤耦合器,当选取恰当的纤芯间距和耦合区长度时,3×1微纳光纤耦合器的耦合效率最高可达93.3%。

摘要：传统的降压型功率因数校正(power factor correction,PFC)变换器由于存在高谐波电流的缺点,较难满足IEC61000-3-2 C类限值,其应用受到很大限制。文中设计并搭建了一种集成式功率因数校正变换器,该变换器由一个降压PFC变换器和一个反激PFC变换器组成,其中降压和反激PFC变换器采用输入并联和输出并联连接方式共用一个GaN开关管和控制电路,降低变换器成本。集成式变换器在临界导通模式(critical conduction mode,CRM)恒定导通时间(constant on time,COT)控制下,反激单元消除了降压输入电流死区的影响,利用降压和反激PFC变换器的优势和GaN开关管的优异性能,变换器可以在宽电压输入范围下实现高效率和低总谐波失真。文中介绍了电路结构和工作原理,通过PSIM(power simulation)仿真验证理论推导的正确性,最后搭建了满载效率为94.1%的120 W样机,验证了该方案的可行性。