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VO_2在V-P-Fe系CTR的相变偏移分析: 收藏
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引用; 《南京师范大学学报（工程技术版）》2009年第2期9卷 5-7页; 作者：孙健甘朝钦刘英吴宗汉南京师范大学电气与自动化工程学院江苏南京210042 东南大学物理系江苏南京210096 江苏兴顺电子元件厂江苏扬州225700; 实验表明,在氧化钒中掺杂不同的物质与不同的比例制作的邻界热敏电阻CTR(Critical Temperature Resister)样品的VO2相变点得到了提高,发生了偏移,这种偏移与掺杂成份与比例有一定的关系.根据样品对应的热谱图,从样品成份中VO2、Fe2O3、P...; 实验表明,在氧化钒中掺杂不同的物质与不同的比例制作的邻界热敏电阻CTR(Critical Temperature Resister)样品的VO2相变点得到了提高,发生了偏移,这种偏移与掺杂成份与比例有一定的关系.根据样品对应的热谱图,从样品成份中VO2、Fe2O3、P2O5微观结构分析各成份所起的作用.设计制作3种掺杂比例不同的样品,比较其不同组份相变点的偏移.此方案得出,在制作邻界热敏电阻CTR时各组份相互牵制相互影响的关系.VO2的相对量与相变点温度成正比关系;P2O5的相对量影响VO2微晶的稳定,也会影响Fe2O3的变价和电子的传导,从而影响VO2的相变;Fe2O3的量与VO2导体性能成正比关系,相对量大,相变点温度将降低.; 来源：详细信息评论

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