摘要：随着原子激光冷却、囚禁与操控技术以及微米、纳米微电子制作技术的快速发展与不断完善,一个新兴的原子光学分支学科—“集成原子光学及其原子芯片”正在形成。本文重点介绍了集成原子光学及其原子芯片的集成方案、实验结果及其最新进展:包括表面微结构原子光学元器件、微磁结构集成原子光学、微光结构集成原子光学和微磁光结构集成原子光学及其原子芯片的设计方案与微制作技术及其最新实验结果。最后,简单总结了原子芯片的设计原则,讨论了芯片设计与研制中尚待解决的问题,并就集成原子光学的潜在应用及其未来发展作一简单展望。

摘要：研制出系统有效口径Φ=300mm,扩束倍率β=30×,视场2ω=±1m rad,能在λ=0.532μm,0.6328μm,1.064μm三种波长下工作,主波长为λ=0.6328μm的激光扩束器。系统光学材料全部采用德国进口Schott熔石英玻璃,前组物镜焦距F=800mm,且为高次非球面。用干涉仪检测,系统最终面形误差峰谷值优于λ/7,均方值误差优于λ/50。

摘要：针对一般光反应器的不足,双面金属包覆波导能够把光耦合进入导波层中激发出超高阶导膜,波导中入射波与反射波相互叠加形成驻波,继而在导波层中出现一系列的光能量增强点(被认为是光陷阱点)。基于这种光学特性,设计了一种新颖的液芯双面金属包覆波导光反应器。采用含有二价铁离子和三价铁离子的混合盐溶液充当导波层,激光耦合进入导波层中两小时后,在该种特定光场分布的作用下,制备出了合成产物。通过对产物的分析,确定合成产物为磁铁矿γ-Fe2O3。

摘要：通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性.在超短激光脉冲激发下,第一次在GaNAs/GaAs量子阱发光光谱中,观察到非局域激子发光.选择激发光谱表明,局域中心主要聚集在GaNAs、GaAs异质结界面.在低N含量的GaNAs体材料发光光谱中,除了与N相关的局域态发光外,也发现发光特性完全不同的GaNAs合金态发光.这些结果为理解ⅢⅤN族半导体的异常能带特性具有十分重要的意义.