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局部放电对SiC MOSFET控制单元影响研究
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《电力电子技术》2022年 第8期56卷 137-140页
作者：庄俊 余豪杰 殷实 李官军中国电力科学研究院有限公司新能源研究中心江苏南京210032 江苏省储能变流及应用工程技术研究中心江苏南京210032 
近些年,碳化硅(SiC)半导体器件因其材料优势,可提高电力电子变换器的性能,引起了国内外学者的广泛关注。SiC功率器件的高压化推动了以电力电子变压器为代表的电力电子装备电压等级的提升,使得电力电子装备中的控制单元面临局部放电的威...
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