T=题名(书名、题名),A=作者(责任者),K=主题词,P=出版物名称,PU=出版社名称,O=机构(作者单位、学位授予单位、专利申请人),L=中图分类号,C=学科分类号,U=全部字段,Y=年(出版发行年、学位年度、标准发布年)
AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
范例一:(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二:P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016
摘要:在智能卡、PDA等便携式设备中,希望使用面积小的密码芯片。通过对AES算法进行结构优化,有效地减小了硬件实现时的开销。使用Verilog HDL语言设计并在Altera APEX20K器件中验证通过,设计集成了加密/解密模式及所有3种密钥长度,为进一步的VLSI实现提供了FPGA原形验证。
摘要:为提高高清彩色图像超分辨率重建效果,该文提出了一种基于边缘对比度的新型自适应图像插值算法。使用边缘对比度检测和不同尺度的感受野来自适应选择Lanczos插值的系数,自适应性和不同感受野可以进一步提升图像放大质量,图像质量相比于双线性插值平均峰值信噪比(PSNR)提高1.1 dB,结构相似度(SSIM)提高0.025,图像感知相似度(LPIPS)提高0.051,相比于双三次插值平均PSNR提高0.34 dB,SSIM提高0.01,LPIPS提高0.033。同时为减少硬件资源以及提高存储效率协同设计了一种高并行、高能效的加速插值引擎架构,通过两级数据重用和系数脉动机制极大提高计算访存比。加速引擎在16 nm工艺库的综合结果达到2 GHz时钟频率;在Xilinx Zynq Ultra scale+xczu15eg FPGA上工作频率达到200 MHz,帧速度(fps)达到60的实时性能。
摘要:According to the theories of optimal noise match and optimal power match, a method for calculating the optimal source impedance of low noise amplifier (LNA) is proposed based on the input reflection coefficient S11. *** the help of Smith chart, the calculation process is detailed, and the trade-off between the lowest noise figure and the maximum power gain is obtained during the design of LNA input impedance matching network. Based on the Chart 0. 35-μm CMOS process, a traditional cascode LNA circuit is designed and manufactured. Simulation and experimental results have a good agreement with the theoretical analysis, thus proving the correctness of theoretical analysis and the feasibility of the method.
摘要:大数乘法是全同态加密算法中一个不可或缺的单元模块,也是其中耗时最多的模块,设计一个性能优良的大数乘法器有助于推进全同态加密的实用化进程。针对SSA大数乘法器的实现需求,该文采用可综合Verilog HDL语言完成了一个16×24 bit有限域FFT算法的FPGA设计,通过构建树型大数求和单元和并行化处理方法有效提高了FFT算法的速度。与VIM编译环境下的系统级仿真结果比较,验证了有限域FFT算法FPGA设计的正确性。
摘要:设计和分析了一种新型的流水线式模数转换器。电路设计主要包括一种开关采样差分折叠式共源共栅增益级、两个时钟控制动态比较器组成的两位模数转换器、两位数模转换器。由于采用了电容下极板采样、全差分和开关栅电压自举,有效地消除了开关管的电荷注入效应、时钟馈通效应引起的采样信号的误差,提高了模数转换器的线性度、信噪比、转换精度和速度。该转换器的设计是在0.6μm CMOS工艺下实现,转换器在采样频率为5MHz、信号频率为500kHz时功耗为70mW;SFDR为80 dB。
摘要:神经渲染是一种基于深度学习的新兴图像和视频生成方法,它将深度学习模型和计算机图形学的物理模型相结合,从而获得可控和逼真的场景表示和渲染,实现对诸如光照、相机参数、姿态等场景属性的控制.一方面,神经渲染既可以充分利用深度学习的优势,实现传统前向渲染流程的加速,也可以为影像的逆向渲染和3维场景重建等特定任务提供新的解决方案;另一方面设计适应神经渲染流水线的创新硬件结构,突破现有图形处理器的并行计算和功耗瓶颈,有望为虚拟现实和增强现实、影视创作和数字娱乐、人工智能和元宇宙等未来重点领域提供重要支撑.综述了神经渲染的技术内涵、主要挑战和研究进展,在此基础上分析了神经渲染流水线对硬件加速支持的共性需求和当前主流神经渲染硬件加速结构的特点,进而讨论了神经渲染处理器架构的设计挑战,最后展望了其未来的发展趋势.
摘要:设计和分析了一种高稳定度、低噪声的CMOS环型压控振荡器。该电路具有较低的压控增益,较好的线性范围,较低的相位噪声。应用复制偏置电路,对差分环型压控振荡器的控制电压进行复制,通过对压控振荡器相位噪声的计算和分析,以提高对环型压控振荡器电源电压噪声和衬底噪声的抑制。该设计和分析是基于上华0.5μmCMOS工艺,当控制电压从1~3V变化时,相应的振荡频率为100~500MHz;在偏离中心频率1kHz、10kHz、100kHz和1MHz频率处得到的相位噪声分别为?50dBc/Hz、?75dBc/Hz、?98dBc/Hz和?120dBc/Hz。
摘要:通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E0+Δ0能级的非平衡荧光发射.同时,通过研究E0+Δ0能级的偏振、激发光强度依赖关系,以及温度依赖关系说明E0+Δ0能级与带边E0共享了共同的导带位置Γ6,同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时,通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较,半绝缘GaAs晶体的E0+Δ0能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E0+Δ0的能量位置和物理性质.研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具.
摘要:提出一种基于国标空中接口协议GB/T28925的2.45 GHz射频识别(RFID)读写系统设计,介绍阅读器和有源标签的硬件和软件系统设计。阅读器是基于ARM Cortex-M3内核处理器设计的远距离阅读器,阅读器通过串口或以太网与上位机通信,标签采用超低功耗芯片实现,解决标签耗电大的问题,借助C#完成控制终端的开发平台设计。采用成帧二进制树算法提高标签防碰撞性能,提高系统对标签的识别率,测试结果表明,阅读器能够快速、稳定、高效地识别标签。
摘要:为了提高AlGaN日盲紫外雪崩探测器的信噪比,降低暗电流,研制高性能日盲紫外探测器,针对AlGaN日盲紫外雪崩探测器暗电流机制进行了深入研究。首先对传统p-i-n-i-n结构雪崩探测器进行了初步研究,分别设计了GaN和AlGaN的两种雪崩探测器模型,分析了其不同暗电流特性,得到的模拟暗电流特性曲线与实验吻合。在此基础上,针对日盲紫外波段高Al组分AlGaN雪崩探测器,重点分析研究了不同异质界面的负极化电荷、p型有效掺杂以及温度等因素对暗电流的影响。在AlGaN日盲紫外雪崩探测器研究中得到的近零偏工作暗电流为2.5×10-13A,在反向138V左右发生雪崩击穿,雪崩开启电流为18.3nA左右,击穿电压温度系数约为0.05V/K,与实验及文献测试结果吻合。
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