摘要：相比遥感雷达,汽车雷达探测距离为0–1000 m近距离的车辆及行人等目标。常规的单天线汽车脉冲雷达通常发射纳秒级的短脉冲以实现近距目标的高分辨率探测。但在工程上实现纳秒级的高功率发射信号是非常困难的并需要很高的成本。另外,现有的汽车雷达存在空间角度分辨率低、点目标脉冲响应函数旁瓣高及汽车雷达间相互强干扰的瓶颈问题。为克服这些难题,论文首先提出双天线脉冲雷达技术,使得雷达在测量发射大时宽脉冲信号成为可能。其次,通过数字波束形成技术实现高的空间分辨率,运用脉冲压缩技术实现距离向高分辨率,采用脉冲多普勒技术计算得到高分辨率的径向速度场。最后,为克服点目标脉冲响应函数旁瓣效应及汽车雷达间相互干扰的问题,提出了一种新的随机相位编码雷达信号。采用提出的雷达信号,汽车雷达间的强干扰可被有效抑制,并且在不损失信噪比的情况下,雷达的点目标脉冲响应函数的峰值旁瓣比可达–45 d B。大量的数值仿真实验验证了提出方法的有效性及先进性。

摘要：提出了一种基于ISO/IEC15693协议的标签芯片编解码系统设计的实现方法,使编解码更加完整准确。采用Verilog HDL建立RTL模型,用ModelSim进行功能仿真,并在Altera DE2-115与射频前端搭建的平台上进行了FPGA验证。最后不仅功能验证正确,而且比协议中要求的识别凹槽宽度范围广,处理更加灵活,同时减小了射频前端模拟解调的压力。对其他编解码系统的实现也有一定的借鉴意义。

摘要：介绍了一种用于神经元集群电信号探测的2×2微电极阵列芯片.该芯片集成了4个直径为20μm、中心间距为100μm的圆形微电极.4个电极点周围都布满地线作为参考电极,4个电极点与参考电极的间距分别为5,10,15和20μm.芯片版图设计及验证采用华大九天系统设计软件Zeni完成,并通过无锡CSMC公司的0.6μm DMDP CMOS标准工艺实现,芯片面积为0.28mm×0.40mm.对芯片进行了在晶圆电学测试,采用频率为10Hz～1MHz,幅度为50mV的正弦信号作为输入信号,分别测试4个电极点的阻抗特性.测试结果表明,在10kHz处4个电极点的等效阻抗模值在0.7～2.1MΩ之间,达到了细胞外电信号测量的要求.在芯片表面进行了L-929细胞和胎鼠海马神经元培养实验,结果表明芯片经过表面生物相容性修饰后可用于细胞外电信号测量.

摘要：用弛豫时间近似和紧致密度矩阵方法，在施加偏向电场的GaAs方量子阱中，研究了退极化场对光学整流的影响。结果表明，退极化场使共振峰的位置向高能方向发生移动。对应三个不同的偏向电场F=3×104V／cm，4×104V／cm，8×104V／cm的共振峰的位置分别为^u=108．48meV，108．92meV，111．99meV。共振峰位置的偏移量分别为5．96meV、5．99meV、6．28meV，其偏移量随偏向电场的增大而略有增大。

摘要：基于GaN基APD（雪崩二极管）日盲紫外探测器工作原理,我们设计了GaN-APD日盲紫外探测器的读出电路（ROIC）。考虑到GaN-APD日盲紫外探测器的特性,我们重点研究了80 V高压击穿保护电路、暗电流消除电路以及为CTIA运放电路的电流偏置电路和带隙基准电路。在此基础上,我们设计了1×8的电路并进行了仿真验证,读出电路耐高压不小于80V,当积分电容为4 pF,积分时间为25μs,时钟频率为100 kHz的时候,电路的电荷存储能力为5.6×107个,输出电压摆幅在0~2.25 V,读出电路的输出电压线性度不低于99%。

摘要：采用通用微控制器实现电子收费(ETC)专用短程通信的逻辑链路控制(LLC)子层时存在功耗大、速度慢等缺点。针对该问题,通过研究ETC系统中车载单元LLC子层协议的工作原理,提出以专用逻辑电路实现LLC子层的功能,给出2种类型服务在该层的状态转换方式。利用Verilog HDL在FPGA上实现该层的功能,结果证明了该方法的有效性。

摘要：通过多种光谱手段研究了GaNAs量子阱和体材料中的局域态和非局域态的不同光学特性.在超短激光脉冲激发下,第一次在GaNAs/GaAs量子阱发光光谱中,观察到非局域激子发光.选择激发光谱表明,局域中心主要聚集在GaNAs、GaAs异质结界面.在低N含量的GaNAs体材料发光光谱中,除了与N相关的局域态发光外,也发现发光特性完全不同的GaNAs合金态发光.这些结果为理解ⅢⅤN族半导体的异常能带特性具有十分重要的意义.

摘要：介绍了GaAs基太阳能电池的原理、等效电路及性能参数,基于集成电路工艺与器件计算机辅助工艺设计(TCAD)仿真工具,设计了背场分别为InAlGaP和InAlP的两种GaAs基太阳能电池,并对其结构和性能进行仿真。同时,通过分子束外延(MBE)设备制备了这两种太阳能电池,并测试了其伏安(IV)特性。在考虑并联电阻和串联电阻对太阳能电池伏安特性的实际影响后,仿真结果与实验结果基本一致。重掺杂(原子浓度为2×1018 cm-3)的InAlGaP作为GaAs太阳能电池背场时,伏安特性曲线是典型的太阳能电池的伏安特性。重掺杂(原子浓度为2×1018 cm-3)的InAlP作为GaAs太阳能电池背场时,伏安特性曲线呈现"S"形变化。分析结果表明,背场与基层形成漂移场,加速了光生少子在电池中的输运,提高了光生电流,同时,背场将光生少子反射回有源区,降低了背表面的复合概率。当InAlP作为背场时,由于异质结的存在,影响了载流子的运输,在较小的偏压下,载流子主要通过隧道效应越过势垒,在较大的偏压下,载流子主要通过热电子发射越过势垒,因此伏安特性曲线呈现"S"形变化。

摘要：针对低频射频识别(RFID)晶圆测试中耗时久、效率低的问题,设计了一种32通道并行测试系统。系统基于32通道垂直探针卡,采用直接耦合方式,达到芯片实际工作条件。利用现场可编程门阵列(FPGA),实现测试向量的快速生成和信号解码的高速处理。通过专用硬件测试电路,对已调信号进行包络检波、滤波放大、电平判决,解调出被测芯片(DUT)编码信息。凭借通用接口总线(GPIB)完成探针台与上位机的数据交换,获得晶圆图。经测试,系统能够稳定、快速实现对低频RFID晶圆进行32通道并行测试,与传统单通道串行测试相比,测试时间至少优化了95.4%。测试结果表明系统缩短了测试时间、提高了测试效率,可适用于批量测试应用。

摘要：用动力学Monte Carlo模拟方法研究了GaAs(001)邻晶面的外延生长机制.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面外延机制有重要的影响.模拟结果显示,低温下Ehrlich-Schwoebel势垒几乎能完全阻止原子向下一台阶面的迁移,高温下原子已能有效地克服势垒的影响并向下一台阶面迁移.在外延生长初期,原子几乎在台阶面上均匀分布.当表面覆盖度达到一定数量后,台阶成核开始.而由于Ehrlich-Schwoebel势垒的存在,在台阶的上侧台阶面上开始有原子的积累,而如果没有Ehrlich-Schwoebel势垒,台阶上侧台阶面上的原子也能被有效地耗尽.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面上的外延生长模式有显著的影响,将明显提高达到台阶生长模式的温度.