摘要：本文提出一种具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS结构。P阱、沟道、源区、栅极等位于高斯中心的一侧,而漏端位于高斯中心的另一侧并靠近高斯中心,器件既具有倾斜表面漂移区的高耐压性,又具有VDMOS结构的高开态击穿特性和良好的安全工作区域。我们研究了高斯表面的弯曲程度对高斯型倾斜表面漂移区的影响。结果表明,P阱的长时间退火对具有高斯表面的漂移区的掺杂浓度分布有一定影响。具有高斯表面的倾斜漂移区的LDMOS结构在不同弯曲程度下器件耐压性和表面电场分布均匀性不同。高斯弯曲参数P在0.5左右时开态耐压性能最优,并且表面电场分布相对均匀;当弯曲参数P增大时,击穿特性基本饱和或略有下降。

摘要：设计了一种降压型LED恒流驱动芯片。该芯片采用电流滞环控制技术对输出电流进行恒流控制,实现输出高达2MHz的开关频率。通过比较外部反馈电阻上的压降与芯片内部的滞环电压,使输出电流的波形为滞环变化三角波。采用了全新的自适应滞环电压产生电路,以补偿芯片内部的延时,实现了在2 MHz的开关频率下小于3%的恒流精度。该LED恒流驱动芯片采用ASMC 0.35μm 5V/60VBCD工艺,工作电源电压范围为5-60V,最高工作频率为2 MHz,典型平均输出电流为700mA。该芯片具有PWM调光功能,通过DIM信号的占空比来调节LED的亮度。

摘要：在分析HDMI协议的基础上,提出了一种实现HDMI接口传输模块的ASIC设计方案。在Quartus II 10.0平台下,利用可综合的Verilog语言完成了电路的设计综合,并下载到FPGA开发板进行了测试验证。验证结果表明,设计满足HDMI接口传输模块要求,占用逻辑资源少,可应用到总体设计中。

摘要：指出了IP核参数化设计的重要性,分析了IP核的参数类型及相互关系。在分析基于VerilogHDL的IP核参数化设计方法及所面临困难的基础上,提出了一种附加的编译预处理方法并设计了相应的工具软件ECP。IP核由VerilogHDL和ECP扩展的语句混合编程,经ECP处理后生成VerilogHDL源文件。应用该方法后,提高了Ver-ilogHDL在描述功能、性能、结构及优化策略等参数化的复杂模型时所需要的灵活性,增强了VerilogHDL的建模能力。作为一个IP核参数化设计的实例,介绍了C*Core系统中断控制IP的参数化设计过程,给出了FPGA验证的结果。

摘要：提出了一种采用UVM(Universal Verification Methodology)验证方法学设计出的适合超高频RFID芯片解码系统的验证平台.该验证平台相比于传统验证平台具有重用性强、层次化合理、效率高、验证自动化等优点,且该验证平台以覆盖率驱动,显著提高了验证的效率和质量.现该验证平台已成功应用于一款超高频RFID标签芯片解码系统的设计验证,得到了期望的覆盖率,满足设计要求.

摘要：应用于智能交通系统的无线接入协议IEEE802.11p,其物理层卷积编码的码率可通过对(2,1,7)卷积编码器的删余来实现。讨论了删余位置的图案和算法,分析了在删余位置插入不同哑元时维特比译码后误码率的统计特性。仿真的同时比较了固定哑元下不同码率所引入的误比特率。

摘要：自石墨烯时代以来,具有独特物理、化学和光电特性的二维层状材料(Two-Dimensional Layered Materials,2DLMs)得到了国内外科研人员的广泛关注。2DLMs因其种类的多样化与带隙的层数依赖性,光谱响应范围覆盖了紫外到红外辐射的极宽波段,具有应用于新一代光电探测器件的潜力。此外,2DLMs不受晶格匹配的限制,能以范德瓦尔斯力(Van der Waals,vdWs)与其他维度材料如体材料、纳米线和量子点等结合,制备得到性能独特且优异的复合结构器件。文中概述了几种应用在光电探测器领域的新型2DLMs异质结光电探测器的研究进展,主要包括基于二硒化钨(WSe2)、黑砷磷(AsP)、三硫化铌(NbS3)、二硒化钯(PbSe2)等异质结光电探测器,这些异质结光电探测器在异质结器件结构设计与新型二维半导体工艺技术应用方面做出了创新,在器件增益、结整流比、响应速度与波长探测范围等多个重要器件性能方面获得了突破性的研究成果。同时,文中还简要分析了这类器件研究当前所面临的挑战,并对其未来的发展方向进行了展望。

摘要：采用TSMC 0.18μm 1P6M RF CMOS工艺,完成了一种基于开关电容阵列的全集成LC压控振荡器的设计.版图后仿真结果表明,在1.8V电源电压下,电路核心功耗约为7.2mW,中心振荡频率为5.8GHz,在偏离中心频率1MHz处,该VCO的相位噪声为-121.8dBc/Hz,调谐范围为10.2%,满足交通专用短程通信系统的频段要求.

摘要：对DSRC协议介质访问控制(MAC)子层进行了研究,采用Verilog HDL语言实现ETC车载单元MAC子层功能,并进行仿真和FPGA验证.最后经流片测试,结果表明设计的MAC控制器功能符合DSRC协议要求,为DSRC专用芯片的国产化打下坚实的基础.

摘要：针对一个基于硅基板的MCM电路建立了两种不同芯片布局的有限元热分析模型。利用热场分析理论并采用AutoTHERM软件,对两种布局条件下的温度场分布进行了仿真与分析。结果表明:不同的芯片布局导致温度场分布不同,两种方案的最高温度之差为6℃;将功率器件直接置于框架角落,而其余器件分布在硅基板上,可有效地减弱热耦合现象并使最高温度显著降低。该MCM在25℃下工作1h,温升小于10℃,满足使用要求。