摘要：针对手术异物遗留(RSIS)的难题,提出了基于ISO15693射频标签的射频识别(RFID)手术器械管理系统。将ISO15693射频标签内置在手术器械中,采用三通道天线协调工作的RFID阅读器完成对手术器械的登记录入、回收统计和寻找扫描。借助Qt图形界面应用程序开发框架,实现对手术器械管理系统的上位机操作界面的设计。实验表明系统能够稳定、快速、准确地实现对手术器械使用和回收的智能化管理,有效地防止了手术器械遗留问题的发生,给手术安全提供了更加高效可靠的保障。系统现已具备实际应用能力,正在进行面向医疗实用的推广。

摘要：对AES密码算法的结构进行了优化,并应用0.6μmCMOS工艺实现了AES加密/解密芯片。使用Ver-ilogHDL进行算法建模,采用自动综合技术完成版图设计。芯片支持加密/解密模式及所有3种密钥长度。已完成流片,测试的最高时钟频率为20MHz,128位、192位和256位密钥时的数据吞吐率分别可达49.2Mbps、41.3Mbps和35.6Mbps。

摘要：研究了等离子体增强化学气相沉积工艺条件对氮氧化硅膜的生长厚度及折射率的影响以及氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅片的钝化效果.实验结果表明,NH3的流量和N2O/SiH4流量比对氮氧化硅膜的影响较大,薄膜折射率能从1.48变化到2.1,厚度从30—60 nm不等.腔内压力和射频功率主要影响膜厚,压力越大,功率越大,沉积速率加快,生成的膜越厚.温度对膜厚和折射率的影响可以忽略.钝化效果显示,在有无NH3下,N2O/SiH4流量比分别为20和30时,退火后氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅的钝化效果最好,其潜在电压和少子寿命分别为652 mV,56.7μs和649 mV,50.8μs,均优于参照组氮化硅膜样品的钝化效果.

摘要：提出了一种采用覆盖率驱动激励产生算法的验证技术,设计了一套完整的验证平台,成功地验证了一款高频RFID(射频识别技术)芯片。该技术的核心思想是在验证过程中,通过分析功能覆盖率和代码覆盖率,得出未覆盖的边界条件,进而修改激励产生的约束条件,产生测试激励,验证边界条件,以有效地提高验证覆盖率。现该验证平台所验证的芯片已经成功流片,且测试性能优异。

摘要：结温是表征发光二极管品质和寿命的一个关键因素,针对电致发光光谱检测法测量LED芯片结温需要脉冲电流精确可控的突出问题,以Xilinx XC3S400 FPGA为核心,设计并开发了一套高速度、高精度的脉冲恒流控制系统。该系统根据从PC接收的数据精确控制LED上脉冲电流大小、脉冲周期、脉冲宽度,同时在保证脉冲电流的升降时间小于5μ～s的情况下将过冲控制在5%内,以避免因冲击电流过大而损坏LED,为非接触式测量LED灯具中芯片结温提供了极大的方便。该系统稳定可靠,效果良好。

摘要：针对制造业中待加工物品管理效率低下的问题,设计了一套基于射频识别(RFID)的智能货架管理系统。通过RFID阅读器和手持式智能终端实时进行数据采集,采用复杂事件处理(CEP)进行数据清洗、过滤并传入制造企业生产过程执行系统(MES)。基于ISO15693协议对RFID阅读器实现发送功率可调、网口通信功能设计,借助. NET平台开发RFID中间件程序及网络应用程序,方便用户实时查询物品信息。系统已在制造企业中应用,效果卓著,性能良好。经实际测试,系统能够快速、稳定、高效地工作,实现了对待加工物品的实时监测和生产计划的高效执行。

摘要：提出三种针对改进密勒编码的解码思路,研究分析其在实际应用中的利弊,提高对改进密勒编码的识别能力。根据模拟和实际测试结果,证明了改进密勒编码的解码结果与协议标准的一致性,在TypeA型卡上运用周期采样的解码方式,得到了良好的实际应用效果。

摘要：介绍了一种基于UVM(Universal Verification Methodology)验证方法学的验证平台.该验证平台是针对基于自主知识产权的国产MCU C0的CPU卡芯片的功能验证需求所搭建的.该验证平台采用面向对象的层次化的建模方法,完成了符合ISO14443协议的验证事务,通用功能验证组件以及设计参考模型的建模;能实时监测设计中信号的变化,能实现在验证过程中验证结果的自动对比,能根据覆盖率调整验证的进程.验证结果表明,该验证平台具有复用性,提升了芯片验证的效率和可靠性.

摘要：光电探测器在通讯、环境、健康和国防等日常生活及国家安全等领域中应用广泛。随着时代的发展,对光电探测器在灵敏度、响应速度及波长范围等方面的性能要求与日俱增。低维材料独特的电学及光电特性使其在光电子器件领域具有重要的应用前景。为了充分利用低维材料的优势,克服其暗电流大、吸收率低的不足,研究人员提出将铁电材料与低维材料结合,利用铁电材料的剩余极化作用形成强局域场调控载流子浓度以提高低维材料的光电探测能力。文中总结了近年来铁电局域场增强低维材料光电探测器的研究成果,介绍了铁电材料对一维纳米线、二维材料以及低维结型器件的调控和性能提升方面的相关研究。最后,对铁电局域场增强低维材料光电探测器的发展趋势进行了简要的总结和展望。

摘要：采用水浴法制备不同掺杂浓度ZnS∶Cu纳米薄膜及相应谐振腔。X射线衍射表明,该纳米薄膜具有立方相的闪锌矿结构。光致荧光测量显示,ZnS∶Cu薄膜在2.37 eV处有很强的荧光峰。荧光强度与Cu/Zn物质的量比有关,当Cu/Zn物质的量比为0.1%时,ZnS∶Cu纳米薄膜荧光强度最强。在由Al膜与ITO薄膜构成的腔长为3.6μm的ZnS∶Cu垂直谐振腔中共观察到10多个荧光干涉峰。经分析确定,该垂直谐振腔的品质因数为30.3。