摘要：针对传统单结GaN基高电子迁移率晶体管器件性能受电流崩塌效应和自加热效应限制的困境,对新型A1GaN/GaN/InGaN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管的直流性质展开了系统研究.采用基于热电子效应和自加热效应的流体动力模型,研究了器件在不同偏压下电流崩塌和负微分电导效应与GaN沟道层厚度的相关.研究发现具有高势垒双异质的沟道层能更好地将电子限制在沟道中,显著减小高电场下热电子从沟道层向GaN缓冲层的穿透能力.提高GaN沟道层厚度可以有效抑制电流崩塌和和负微分输出电导,进而提高器件在高场作用下的性能.所得结果为进一步优化双异质结高电子迁移率晶体管结构提供了新思路,可促进新型GaN高电子迁移率晶体管器件在高功率、高频和高温等无线通讯领域内的广泛应用.

摘要：针对CPU卡设计规模小以及设计时间和成本有限等特点,选择合适的片上总线互联结构,设计一套虚拟原型验证平台。介绍虚拟原型验证平台的原理,着重分析采用AHB-lite片上总线结构能够极大地减小CPU卡设计的复杂度。运用搭建的CPU卡虚拟原型验证平台,对CPU卡的架构和自主设计的IP模块进行测试,并在实际的物理原型验证平台上对整个架构进行测试。测试结果表明设计的虚拟原型验证平台可以切实地减少设计的时间和成本。

摘要：在分析PCI Express 3.0总线物理层协议的基础上,提出一种实现扰频器和去扰频器的设计方案。利用可综合Verilog HDL语言在Vivado平台下完成电路的设计综合并下载到FPGA开发板进行测试与验证。验证结果表明,设计满足PCI Express 3.0总线物理层的要求,占用逻辑资源少,可应用到总线物理层的总体设计中。

摘要：工作在饱和区的MOSFET存在零温度系数(ZTC)特定工作点,基于这一特性设计实现了一款具有低温度系数的电压基准芯片。所设计的电路利用ZTC工作点的温度系数接近于0这一特点,辅以高阶曲率补偿电路,实现极低温度系数的输出电压。此外,针对ZTC工作点对工艺偏差的敏感性,根据蒙特卡洛仿真结果,专门设计了熔丝修调电路,以保证电路的输出结果具有较高工艺稳定性。该电路在CSMC 0.18μm CMOS工艺平台进行了流片验证,芯片面积为0.0025 mm^(2)。结果表明该芯片在室温时能够稳定输出475.5 mV电压,在-40~125℃内,温度系数达到1.8×10^(-6)/℃,在10 kHz时电源抑制比达到-68.7 dB。

摘要：文章讨论了一种增强Verilog硬件描述语言建模能力的编译预处理器的设计问题。VerilogHDL是专用集成电路设计中应用广泛的一种硬件描述语言,它尚存在一些缺陷。编译预处理器的功能是增强数字系统设计中对模块输入输出端口阵列等参数化设计的能力。在分析IEEEVerilog1364—2001建模特性的基础上,基于LEX和YACC设计出专门的编译预处理器,显著降低了程序规模,可以方便地嵌入其他仿真或综合工具中,增强了VerilogHDL参数化的建模特性。

摘要：以(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3{PMNT[(1-x)/x]}为代表的大尺寸、高质量弛豫铁电单晶具有非常高的热释电系数、探测优值和较低的热扩散系数,其综合热释电性能远优于传统的热释电材料。概述了PMNT[(1-x)/x]单晶、掺锰PMNT(74/26)单晶和0.42Pb(In1/2Nb1/2)O3-0.3Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.28PbTiO3[PIMNT(42/30/28)]单晶的介电性能、铁电性能和热释电性能。掺杂后PMNT(74/26)单晶的介电损耗降低到0.000 5,探测优值提高到40.2×10-5 Pa-1/2,是目前所有三方四方相变温度(TRT)高于90°C的本征热释电材料中最高的。高居里温度PIMNT(42/30/28)单晶的TRT达到152°C,且具有较高的探测优值(10.2×10-5 Pa-1/2),将在更宽温度范围内得到广泛的应用。制作了基于掺锰PMNT(74/26)单晶的单元探头,其比探测率D*达到1.07×109 cmHz1/2W-1,是目前商用LiTaO3探测器的两倍,器件性能满足实用要求。

摘要：由于弛豫铁电单晶(PMN-PT)优异的压电效应和热释电效应,使得它对外界的干扰更加敏感,制成传感器后会比In-GaAs等材料产生更多的噪声。针对PMN-PT红外传感器读出信号中的白噪声、1/f噪声及其他一些噪声的产生机理、特点进行了分析与研究,利用计算机仿真出了带有白噪声和1/f噪声、信噪比为0dB左右的读出信号模型。采用db4正交小波基对读出信号进行分解,并使用改进的阈值对小波细节系数进行处理,达到降噪的目的。使用FPGA实现了对实测信号的小波去噪,结果表明,降噪后信噪比提高了15dB,提高了红外传感器的性能。

摘要：设计了一种应用于HgCdTe柔性中波红外探测器的微弱信号放大电路,该电路由电桥电路、调零电路及滤波电路组成。采用平衡电桥与仪表运算放大器INA333相结合的方式搭建电桥电路;并针对探测器直流分量过大问题,设计了可调零、带增益的信号处理电路;最后通过由二阶有源滤波器组成的滤波电路将高频噪声滤除。利用运算放大器的En-In噪声模型,对放大电路进行了噪声分析,并测试了探测器在弯曲状态下的响应性能。实验结果表明,所设计的放大电路增益为86dB,噪声均方根值低于6.1mV;柔性探测器的曲率半径为3mm;当探测器光敏面上的光谱辐照功率为6.75×10^-7W时,产生的光电信号约102.V。

摘要：基于2DMesh结构的片上网络在设计之初就要考虑模块映射问题,以满足通信功耗的约束。提出一种基于遗传蚁群映射算法的方法解决片上网络设计中通信功耗最小化问题。该算法针对标准蚁群算法易于出现早熟停滞等缺陷,引入轮盘赌选择机制及染色体杂交等手段,使映射功耗函数快速收敛,达到良好的全局寻优效果。

摘要：单斜率型模/数转换器以其简单的结构、较高的分辨率和易于集成的优势,在红外焦平面读出电路设计中被广泛应用。基于Matlab软件环境下的Simulink工具,建立了一个14位Single-slope ADC的系统模型。其充分讨论Simulink工具下电路各单元模块的具体实现和信号间的时序关系,给出电路的行为级仿真结果,为Single-slope ADC的集成电路设计与实现提供参考。