摘要：针对50 V、1000 W GaN功率放大器对电源调制器模块的需求,设计了一款电源调制器模块。该调制器模块全部选用河北新华北集成电路有限公司自研芯片和器件进行设计,其中包括一款50 V集成负压使能的高压N沟道MOSFET驱动器作为关键控制器件,一款120 V高压N沟道MOSFET并联作为调制开关,一款可调负压偏置芯片为功率放大器提供栅极偏置电压。此方案能够覆盖14~70 V工作电压范围、60 A以内负载能力的应用需求,最大输出功率可达4000 W。模块内部芯片采用封装器件,结构上采用金属密封盒体设计,满足气密性要求,保证可靠性。经试验验证,该模块在50 V工作电压下为功率放大器提供漏极调制电压及栅极偏置电压功能、性能良好,且栅、漏电压上电时序可控,输出上升时间和下降时间分别为12.3 ns和38.4 ns,符合设计预期。

摘要：本文对中频数字接收机进行优化设计,显著节约硬件资源。中频数字接收机对数字中频信号进行数字下变频处理,然后提取信号特征量。通过合理选择采样频率,简化下变频运算;通过调整抽取和滤波运算的顺序,避免无效滤波运算;利用FIR滤波器系数对称性,采用基于串并结合的分布式算法的流水线结构实现滤波运算;采用基于CORDIC算法的流水线结构提取信号瞬时特征量;采用N点求平均法,降低噪声对信号幅值和频率的影响;在硬件芯片上进行验证,表明设计方案正确性。本设计具有广泛的波形适应性和可扩展性,为进一步分析信号奠定基础。

摘要：基于GaN功率放大器模块化、小型化的发展需求,设计了一款X波段小型管壳封装的功率放大器。通过合理排布电路结构,实现了封装尺寸的小型化。由于器件功率密度不断提升,散热问题不容忽视,通过对不同材料的管壳底座进行热仿真分析,模拟芯片的温度分布,根据仿真结果选定底座材料为钼铜Mo70Cu30,利用红外热成像仪测试芯片结温为107.83℃,满足I级降额要求。最终设计的功率放大器尺寸为18.03 mm×8.70 mm×3.03 mm,在28 V工作电压脉冲测试条件下,9.3~9.5 GHz频带内饱和输出功率大于46 d Bm,功率附加效率大于36%,功率增益大于24.5 d B,电性能测试结果全部满足技术指标要求。

摘要：基于180 nm绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺,设计并制作了一款50Ω吸收式单刀双掷射频开关。开关电路由两个对称的射频传输通道组成,在500 kHz^8 GHz频率内具备优异的隔离度及插入损耗性能。采用两级开关结构用于提高隔离度,并通过将电源管理电路的晶体管偏置在亚阈值区域以达到超低的功耗。测试结果表明,在6 GHz频点的插入损耗为0.55 dB,隔离度为53 dB,反射系数为-15 dB,0.1 dB压缩点的输入功率为33 dBm,而功耗不足300μW。该RF开关电路非常适用于4G/5G无线基础设施、卫星通信终端设备以及其他高性能射频应用系统。

摘要：采用增强型GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款具有超低噪声系数、低功耗的放大器芯片。采用电流复用型共源结构,源极加入负反馈电感,输入级采用低损耗的片外匹配结构,降低了噪声系数,提高了增益。采用有源偏置电路,提高了芯片电流一致性。设计过程中对封装管壳、键合丝等建模仿真,增益、噪声等测试结果与仿真结果基本一致。该芯片采用4.0 mm×4.0 mm×0.8 mm扁平无引线封装,芯片直流功耗仅为36 mW,在卫星导航工作频段内增益大于30 dB,噪声系数小于0.55 dB。该芯片具有噪声性能好、功耗低、增益高等优点,可以用于各类GPS和卫星导航终端。

摘要：基于GaN功率放大器小型化、轻薄化的发展趋势,选用陶瓷方形扁平无引脚(CQFN)管壳封装,设计了一种2~6GHz宽频带、小尺寸、高效率的功率放大器,并阐述了设计方法和研制过程。随着器件功率密度的不断升高,散热问题成为设计中不可忽略的因素,分别采用热仿真分析及红外热成像测试方法,得到功率放大器芯片的最高温度为198.61℃,能满足散热需求。功率放大器尺寸为7.0mm×7.0mm×1.2mm,在连续波测试条件下,漏极电压为28V,工作频带为2~6GHz,饱和输出功率大于40.5dBm,功率增益大于23dB,功率附加效率大于35%,测试结果均满足实际需求。

摘要：针对毫米波频段放大器芯片,提出了一种基于有机封装基板和液晶聚合物盖帽的空气腔型封装结构,解决了塑封器件在毫米波频段阻抗失配、插入损耗大和热阻高等问题,且降低了封装成本。通过电磁场仿真,优化了封装管脚在毫米波频段的阻抗特性,降低了射频管脚的阻抗失配,优化了芯片焊盘与封装基板之间的键合方案,降低了封装整体的插入损耗。采用条状通孔和基板减薄方法,降低了封装结构的热阻。在24~30 GHz,封装芯片小信号增益达到21 dB,饱和输出功率达到26 dBm。与裸芯片相比,封装芯片的饱和输出功率仅损失了1 dB。芯片封装后的整体热阻为28℃/W,满足芯片可靠性应用的需求。

摘要：采用GaAs PHEMT工艺,设计了一种700 MHz频段的高线性驱动放大器MMIC。该放大器内部集成了带通复合匹配网络结构的宽带输入匹配电路,通过两种幅频特性相反的匹配网络进行组合,有效地拓展了应用带宽,提高了线性度和增益平坦度。放大电路采用两级放大结构,保证增益指标,引入稳定性设计以保证放大器工作的稳定性。偏置电路采用带负反馈系统的有源镜像结构,提高了驱动能力,使电路更加稳定。该放大器集成输出检波器,采用二极管检波器结构实现功率检波,具有结构简单、占用芯片面积小的优点。该放大器典型频点700 MHz处的输出三阶交调点为42.6 dBm,1 dB压缩点输出功率为27.6 dBm。通过调整片外输出匹配电路可满足700 MHz及其他频段的应用需求。

摘要：设计了一种应用于DC-DC变换器中的斜坡补偿电路。提出了一种新的动态斜坡补偿方法,使斜坡补偿电流的斜率随着占空比的增大而增大,在消除了次谐波振荡的同时,也避免了斜坡补偿对DC-DC变换器带载能力的影响。该斜坡补偿电路结构简单,易于实现,已在基于0.5μm双极型CMOS DMOS (BCD)工艺设计的电流模降压型DC-DC变换器中得到了验证。测试结果表明,该DC-DC变换器在不同占空比下可稳定工作,可以满足一般的电源应用需求。设计的DC-DC变换器面积为2.2 mm×2.2 mm,其中斜坡补偿电路面积仅为0.2 mm×0.3 mm。

摘要：设计了一种应用于DC-DC转换器的电流采样电路。提出了一种新型的电感等效直流电阻(DCR)采样方法,利用电感自身的DCR实现电流的采样与限流功能,节省了采样电阻,提高了DC-DC转换器的转换效率。同时电路将传统结构中的电流采样电路与脉冲宽度调制(PWM)比较器进行了合并,使系统结构更加简单。在基于0.35μm双极CMOS DMOS(BCD)工艺设计的DC-DC转换器中进行了验证,测试结果表明该DC-DC转换器输入电源电压为4.5~38 V,输出电压为0.6~12 V,负载电流最大可达5 A,转换效率可达95%,可以满足一般的电源应用需求。设计的DC-DC转换器面积为2.30 mm×2.30 mm,其中电流采样电路部分面积仅为0.30 mm×0.40 mm。