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Si基光子器件的p-i-n电学结构模型及分析: 收藏
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引用; 《光电子．激光》2014年第1期25卷 8-12页; 作者：陈伟伟赵勇杨承霖钱伟杨铁权杨建义宁波大学信息科学与工程学院浙江宁波315211 浙江大学信息与电子工程学系唐仲英传感材料与应用研究中心浙江杭州310027 浙江南方通信集团股份有限公司浙江湖州313009; 为了设计研制基于载流子色散效应的Si基光子器件,本文针对Si基光子器件的电学结构,利用Silvaco的器件仿真工具Atlas,并根据载流子色散理论,结合有限差分(FD)法,建立了基于pi-n结的电学结构模型。同时,为了提高模型的实际应用水平,采用0...; 为了设计研制基于载流子色散效应的Si基光子器件,本文针对Si基光子器件的电学结构,利用Silvaco的器件仿真工具Atlas,并根据载流子色散理论,结合有限差分(FD)法,建立了基于pi-n结的电学结构模型。同时,为了提高模型的实际应用水平,采用0.18μm CMOS工艺线制作Si基马赫-曾德尔调制器(MZM),并进行相应的实验验证与分析。本文工作将为从物理层面上优化Si基光子器件设计提供帮助。; 来源：详细信息评论

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