摘要：　高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路,高压集成电路的研究与发展,主要是高压器件、高压集成电路工艺以及设计技术的发展。文章提出了一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件,并对该器件结构进行了耐压分析,给出了该器件的击穿特性、等势线和电流线等模拟曲线。对不同参数模拟的曲线进行了分析和比较。结果表明,该结构具有比较高的击穿电压,并且工艺简单,受工艺参数波动的影响较小,不失为一种提高集成电路耐压的新途径。

摘要：介绍了一种新型的低压功率MOSFET结构——Trench MOSFET。将其与常规VDMOS通过在 结构参数、电性能参数上的比较和分析,最终肯定了Trench MOSFET结构的优点。

摘要：同步整流技术是目前开关电源中一种新型的转换效率提升技术。遵循转换效率最高原则,使用器件结构仿真软件Medici对同步整流DC-DC变换器中的功率MOSFET进行结构分析,并得出选择建议。同时在Cadence中对同步整流技术相关电路进行仿真分析,得到了同步整流技术中的功率器件优化结果和外围线路结构。