摘要：本论文设计了一款适合音频应用的低功耗、高线性度ΣΔADC。此ADC包含了高性能2-1级联单比特量化ΣΔ调制器和采用ROM、RAM设计的低功耗,高面积利用率数字抽取滤波器。此款ADC芯片采用中芯国际65nm 1P8M混合信号CMOS制作工艺,核心面积为0.581平方毫米。测试结果表明,本文设计的ΣΔADC在22.05kHz的音频带宽内,采样频率为5MHz时最高信噪失真比可达90dB,动态范围为93dB,在1.2V供电电压下功耗为2.2mW,同时实现了高性能与低功耗。

摘要：提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1 700 V/100 A高压大电流的NPT-IGBT,包括其元胞结构、终端结构、工艺流程及版图的设计。通过分析及仿真确定元胞的结构参数;采用场限环与场板相结合的终端结构,讨论场板的设置对终端结构的影响,提出了多晶硅场板设置的方案;流片完成后进行半桥模块的封装,并对模块进行了测试。击穿电压达1 700 V以上,栅发射极漏电流小于80 nA、关断时间小于800 ns、关断功耗小于30 mJ,均达到设计要求。导通饱和压降3.5 V(略高),可通过增大芯片尺寸的方法加以改进。

摘要：在对交流接触器能耗进行分析的基础上,根据交流接触器可用强激磁吸动和弱激磁吸持的特点,将其电磁系统的交流运行方式改为直流运行方式,采用自转换式改变占空比的节能方案,设计开发了一款智能型交流接触器节能专用集成电路芯片ZDLX。此芯片采用0.5μm混合信号CMOS工艺。实测结果表明,此芯片配合交流接触器使用后可将后者功耗降低90%(仅为原功耗的10%)。因此该节能专用芯片ZDLX具有重要的社会和经济价值。

摘要：根据PDP显示系统的要求,设计出一块适合PDP显示的寻址驱动芯片,同时在分析高压VD-MOS管和高压PMOS管结构特点的基础上,提出了实现PDP寻址驱动芯片的高压工艺流程及其基本参数。最后采用2.0μm的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺对芯片进行流片并对流出的芯片进行了测试分析,结果证明所设计的高压器件能满足PDP显示的实际要求。

摘要：在X射线传感器中,为了满足对集成片上闪烁层的6×6光电二极管阵列在脉冲型X射线激发下的光电流值的快速读出要求,提出了一种36通道微弱电流的快速采集系统的设计。系统主要包括低漏电流多路选择器、高精度电流镜和微控制器,在微控制器控制下,系统逐个读出36通道的微弱电流,经过A/D转换后采集值送到PC机显示。实验结果表明,该系统的采集精度可达1nA,满足X射线传感器的多通道微弱电流的快速采集要求。

摘要：大中型交流接触器在正常工作时,交流电通过交流接触器的线圈会消耗一定的能量,同时会产生较大的电磁噪声,还会使线圈温度上升,缩短交流接触器的使用寿命。本文在对交流接触器能耗进行分析的基础上,根据交流接触器可用强激磁吸动和弱激磁吸持的特点,改变其电磁系统的交流运行方式为直流运行方式,采用自转换式改变占空比的节能方案,设计开发了一款智能型交流接触器节能专用集成电路芯片ZDLX。此芯片采用0.5μm混合信号CMOS工艺制程。实测结果表明此芯片配合交流接触器使用后可将后者功耗降低90%(仅为原功耗的10%)。交流接触器的使用量大面广,因此该节能专用芯片ZDLX具有重要的社会价值和经济价值。

摘要：大中型交流接触器在正常工作时,交流电通过交流接触器的线圈会消耗一定的能耗,同时会产生较大的电磁噪声,还会增大线圈温升,缩短交流接触器的使用寿命。本文在对交流接触器能耗进行分析的基础上,根据交流接触器可用强激磁吸动和弱激磁吸持的特点,改变其电磁系统的交流运行方式为直流运行方式,采用自转换式改变占空比的节能方案,设计开发了一款智能型交流接触器节能专用集成电路芯片ZDLX。此芯片采用0.5 um混合信号CMOS工艺制程。实测结果表明此芯片配合交流接触器使用后可将后者功耗降低90%(仅为原功耗的10%)。交流接触器的使用量大面广,因此该节能专用芯片ZDLX具有重要的社会和经济价值。